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(In Japanese)レーザーMBE法により格子整合SCAM基板上に成膜されたコンビナトリアルZn/Zn1-xMgxO多重量子井戸の分光特性

Research report code R000000489
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)H.D. Sun
  • (In Japanese)牧野 哲征
  • (In Japanese)N.T. Tuan
  • (In Japanese)瀬川 勇三郎
  • (In Japanese)川崎 雅司
  • (In Japanese)大友 明
  • (In Japanese)田村 謙太郎
  • (In Japanese)鯉沼 秀臣
Affiliation
  • (In Japanese)理化学研究所 フォトダイナミックス研究センター
  • (In Japanese)理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
  • (In Japanese)理化学研究所 フォトダイナミックス研究センター
  • (In Japanese)理化学研究所フォトダイナミクス研究センター
  • (In Japanese)東北大学金属材料研究所
  • (In Japanese)東京工業大学大学院総合理工学研究科物理科学創造専攻(横浜市)
  • (In Japanese)東京工業大学大学院総合理工学研究科物理科学創造専攻(横浜市)
  • (In Japanese)東京工業大学応用セラミックス研究所
Research organization
  • (In Japanese)東京工業大学大学院総合理工学研究科物理科学創造専攻
  • (In Japanese)東京工業大学応用セラミックス研究所
  • (In Japanese)理化学研究所 フォトダイナミクス研究センター
Report name (In Japanese)レーザーMBE法により格子整合SCAM基板上に成膜されたコンビナトリアルZn/Zn1-xMgxO多重量子井戸の分光特性
Technology summary (In Japanese)著者らは,高性能ZnO/Zn1-xMgxO多重量子井戸をScAlMgO4(0001)基板上にMBE法にて作製し,0.7~4.65nmの井戸幅を持つ量子井戸サンプルの9つのピクセルを同じ基板上で系統的に検討している。10間隔をもった一連の 多重量子井戸について,吸収,連続He-Cdレーザで励起した光ルミネセンスおよび誘導放出などの分光計測を行った。9ピクセルの吸収スペクトルは全て低温で励起子ピークを示した。共鳴エネルギーおよび5Kにおける吸収ピークのライン幅は井戸幅の減少とともに増加した。多重量子井戸の励起子とLO-フォノン間のカップリング強度はバルクZnOのそれより低く,井戸幅とともに減少した。次に,誘導放出スペクトルを様々な強度および温度でダイレーザ励起下で測定した。多重量子井戸サンプルの励起子結合エネルギーはバルクZnOのそれよりかなり大きかった。この結合エネルギーの増強は励起子状態の保留に良好で,高温での励起子関連ルミネセンスの存在を確実なものとした。
Research field
  • Semiconductor thin films
  • Luminescence of semiconductors
Published papers related (In Japanese)(1)H.D. Sun, T. Makino, N.T. Tuan, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. (Submitted).
(2)H.D. Sun, T. Makino, N.T. Tuan, Y. Segawa, Z.K. Tang, G.K.L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, K. Tamura, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. (Submitted).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Single Molecule and Atom Level Reactions
Information research report
  • (In Japanese)H.D. Sun,まきの,N.T. Tuan,瀬川 勇三郎,川崎 雅司,おおとも,たむら,鯉沼 秀臣. Spectroscopic Characterization of Zn/Zn1-xMgxO Multi-quantum Wells on Lattice-matched SCAM Substrates Fabricated by Combintorial Laser-MBE Techniques.. 戦略的基礎研究推進事業 単一分子・原子レベルの反応制御 第4回シンポジウム —2期・3期チームの研究進捗— 講演要旨集,2000. p.107 - 107.

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