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(In Japanese)CuBa2Can-1CunO2n+2およびCu(Tl)Ba2Can-1CunO2n+1Fの電子バンド構造(n=3~5)

Research report code R000000528
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)浜田 典昭
  • (In Japanese)長谷 泉
  • (In Japanese)伊原 英雄
Affiliation
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
Research organization
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
Report name (In Japanese)CuBa2Can-1CunO2n+2およびCu(Tl)Ba2Can-1CunO2n+1Fの電子バンド構造(n=3~5)
Technology summary (In Japanese)CuBa2Can-1CunO2n+2とCu(Tl)Ba2Can-1CunO2n+1Fのn=3~5での電子バンド構造を,局所密度近似でのフルポテンシャルLAPW法を用いて計算した。その結果,大きなFermi表面がCu1223O8では1.05~1.61ホールを,Cu1234O10では0.99~1.55ホールを,Cu1245O12では0.97~1.58ホールを有することが判った。最適ドーピングの観点からは,ホール数は内部CuO2面からのFermi面には不足し,外部CuO2面からのFermi面には過剰であった。Fermi面を設計する可能性を検討するために,頂上O原子の幾つかをF原子で置き換えた。Cu1223O8で50%のO原子をF原子で置換してCu1223O7Fを得た。各々のバンド構造を図1と図2に示した。Cu1223O7Fでは,系は電子でドープされ,外側のCuO2面からのFermi面は電子ドープされた。3つのFermi面は各々0.87,0.98,1.15ホールを有していた。結論として,FドーピングはFermi面のサイズを制御し,超伝導に最適なFermi面を設計するのに有用であった。
Drawing

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R000000528_01SUM.gif R000000528_02SUM.gif
Research field
  • Electronic structure of crystalline semiconductors
  • Properties of ceramics and ceramic whiteware
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)浜田 典昭,長谷 泉,伊原 英雄. Electronic Band Structures of CuBa2Can-1CunO2n+2 and Cu(Tl)Ba2Can-1CunO2n+1F (n=3-5). 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.37 - 37.

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