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(In Japanese)キャリア分布および超伝導性に関するNMR研究

Research report code R000000530
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)小手川 恒
  • (In Japanese)徳永 陽
  • (In Japanese)石田 憲二
  • (In Japanese)鄭 国慶
  • (In Japanese)北岡 良雄
  • (In Japanese)鬼頭 聖
  • (In Japanese)伊豫 彰
  • (In Japanese)常盤 和靖
  • (In Japanese)渡辺 恒夫
  • (In Japanese)伊原 英雄
Affiliation
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)京都大学大学院理学研究科
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
Research organization
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)大阪大学
Report name (In Japanese)キャリア分布および超伝導性に関するNMR研究
Technology summary (In Japanese)3~5の単位セル(n)およびアンダー~オーバードープ域の全キャリア含量(δ)の,CuO2面数を変えたHgベースおよびCuベースの多層型高温超伝導体における,CuO2面中のキャリア分布の系統的変化を調べた。各々の面での局所キャリア含量(Nh(OP),Nh(IP))は,室温でのKnight shift値から個々に評価した(図1)。その結果,全ての系でNh(OP)>Nh(IP)であり,ドーピングレベル差(△Nh=Nh(OP)-Nh(IP))はδとnが増えるにつれて増加した(図2)。CuO2面でのキャリア分布の不均一性は多層系を特徴づけるキイファクタの1つである。多層型高温超伝導体におけるTcの起源,および△Nhと各層での磁気励起の関係を議論した。
Drawing

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R000000530_01SUM.gif R000000530_02SUM.gif
Research field
  • Electric conduction in crystalline semiconductors
  • Properties of oxide superconductors
  • Magnetic properties of oxides
  • NMR of other inorganic compounds
  • Properties of ceramics and ceramic whiteware
Published papers related (In Japanese)(1)Y. Tokunaga, K. Ishida, Y. Kitaoka, K. Asayama, K. Tokiwa, A. Iyo and H. Ihara, Phys. Rev. B 61 (2000) 9707.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)小手川 恒,徳永 陽,石田 憲二,G.-q. Zheng,北岡 良雄,鬼頭 聖,伊豫 彰,常盤 和靖,渡辺 恒夫,伊原 英雄. NMR Study on Carrier Distribution and Superconductivity in Multilayered High-Tc Cuprates. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.39 - 39.

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