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(In Japanese)CaF2/ダイヤモンドのMIS構造の基本特性

Research report code R000000539
Posted date Sep 30, 2002
  • (In Japanese)小林 猛
  • (In Japanese)牧 哲朗
  • (In Japanese)大阪大学大学院
  • (In Japanese)大阪大学大学院
Research organization
  • (In Japanese)大阪大学大学院
Report name (In Japanese)CaF2/ダイヤモンドのMIS構造の基本特性
Technology summary (In Japanese)CaF2/ダイヤモンドMIS構造の電気的,化学物理的性質について述べた。 CaF2/ダイヤモンドMIS界面にはユニークな特徴がある。これらをMIS静電容量,表面伝導,XPS測定により検討した。従来のダイヤモンドフィルムのC-V曲線は理論から予測された深い落ち込みは示さなかったが(図1), CaF2/ダイヤモンドMIS構造ではC-V曲線の落ち込みが初めて観測され、界面が健全な状態にあることが確認された。酸素吸収はダイヤモンド表面の電気的性質に致命的損傷をもたらすが,高温でのCaF2EB蒸発は表面をふっ素でカバーし,酸素置換を促進することが予測された。XPS測定でCaF2蒸着によりふっ素カバーが優先することが示された。 さらにH末端の表面伝導に匹敵するCaF2蒸着後のダイヤモンド表面の伝導が見出された。これはCaF2蒸着温度により著しく上昇する(図2)。450度付近にその臨界温度がある。これはダイヤモンドのふっ素化生起温度に相当する。

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R000000539_01SUM.gif R000000539_02SUM.gif
Research field
  • Thin films of other inorganic compounds
  • Surface structure of solids in general
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Salts
  • Carbon and its compounds
Published papers related (In Japanese)(1)T.Maki et al: Jpn.J.Appl.Phys.(2000)L575
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)小林 猛,牧 哲朗. Basic Properties of CaF2/Diamond MIS-Structure. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.57 - 61.