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(In Japanese)シリコン量子ドットのメソスコープ特性

Research report code R000000552
Posted date Sep 30, 2002
  • (In Japanese)西口 克彦
  • (In Japanese)X. Zhao
  • (In Japanese)小田 俊理
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Research organization
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Report name (In Japanese)シリコン量子ドットのメソスコープ特性
Technology summary (In Japanese)シリコン量子ドットのメゾスコープ的性質を調べるために,バリスティック輸送効果の利点を生かした二つのデバイスを提示した。一つは小ディメンションの垂直構造デバイスで,化学蒸気体積法(CVD)によるシリコンの固相結晶(SPC)でできており,SiO2(30nm)/Si(25nm)/SiO2(30nm)/Siの構成である。バリスティック輸送にもとづく明瞭なコンダクタンスの量子化を観察可能にし,DCモードで温度3KでSi中の量子化コンダクタンスを測定した。バリスティック輸送による電流駆動安定性の増加を確認した。またナノ結晶シリコン(nc-Si)を用いて冷電子エミッターを製作した。nc-Siドットの高い制御性のため0.8%のエミッション効率を得ることができた。従来の多孔質シリコン(PS)で作られていた電子エミッターよりもナノ結晶点での粒径制御が容易であり,デバイスパフォーマンスを改善できた。
Research field
  • Optical transmission devices
  • Semiconductor thin films
  • Oxide thin films
  • Electronic conduction in nonmetallic compounds
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Semiconductor integrated circuit
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)西口 克彦,X. Zhao,小田 俊理. Mesoscopic Properties of Silicon Quantum Dots. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.90 - 90.