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(In Japanese)単一電子メモリーデバイス

Research report code R000000553
Posted date Sep 30, 2002
  • (In Japanese)Bruce J Hinds
  • (In Japanese)山中 崇行
  • (In Japanese)西口 克彦
  • (In Japanese)小田 俊理
  • (In Japanese)ケンタッキー大学
  • (In Japanese)経済産業研究所
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Research organization
  • (In Japanese)東京工業大学
Report name (In Japanese)単一電子メモリーデバイス
Technology summary (In Japanese)ナノ結晶量子ドットに基づく単一電子メモリーデバイスの開発に当たり,nc-Siの位置を制御するため,新しい選択的化学表面処理を提案した。選択性はカルボキシル基とアミン官能基の間の吸引力に基づくものである。このような選択性はnc-Au/SiO2システムについて実証されているが,ここでは新しい合成スキームをnc-Si/SiO2システムに適用した。このスキームの利点は,電子ビームまたはAFMリソグラフィーが単層のパターンを形成し,nc-Siが堆積する場所の空間位置をパターン化できることである。重要なのは,有機単層は酸化によって容易に除去されて欠陥がないSi/SiO2トンネルバリアを形成することである。
Research field
  • Semiconductor thin films
  • Oxide thin films
  • Electronic conduction in nonmetallic compounds
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)B.J. Himds,山中 崇行,西口 克彦,小田 俊理. Single Electron Memory Devices based on Nanocrystalline Silicon Quantum Dots. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.91 - 91.