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(In Japanese)分光エリプソメトリを用いたInGaP/GaAsヘテロ界面構造の制御とInGaAsP系MOCVDプロセスの数値解析

Research report code R000000563
Posted date Sep 30, 2002
  • (In Japanese)霜垣 幸浩
  • (In Japanese)東京大学大学院工学系研究科
Research organization
  • (In Japanese)東京大学
Report name (In Japanese)分光エリプソメトリを用いたInGaP/GaAsヘテロ界面構造の制御とInGaAsP系MOCVDプロセスの数値解析
Technology summary (In Japanese)本報ではMOCVD(有機金属気相エピタクシー)技術を用いたInGaAsPの成長に関する数値解析と,分光エリプソメトリによるその場観測に基づくInGaP/GaAsヘテロ界面の構造制御を扱った。本研究では成長レートと層成分の分布については実験からの計測と数値解析で検討し,観測と確認は分光エリプソメトリとSEM観察によった。図1にMOCVD装置を用いて610℃でInGaP層を成長させた場合の成長レートのデータ(実験からの計測値と数値シミュレーションによる予測値)の例を示す。また図2は,InGaPの表面からPが離脱することに伴う偏光特性の変化の様子を示すデータ例である。解析と実験の結果から,これらの情報がMOCVD装置におけるヘテロ界面構造制御に使える可能性を示した。

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Research field
  • Crystal growth of semiconductors
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
  • Surface structure of semiconductors
  • Materials of solid‐state devices
Published papers related (In Japanese)(1)M. Sugiyama, K. Kusunoki, Y. Shimogaki, S. Sudo, Y. Nakano, H. Nagamoto, K. Sugawara, K. Tada, and H. Komiyama, Appl. Surf. Science, 117/118, 746-752 (1997).

(2)O. Feron, Y. Nakano, and Y. Shimogaki, J. Crystal Growth, in press.

(3)T. Nakano, Y. Nakan, and Y. Shimogaki, J. Crystal Growth, in press.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)霜垣 幸浩. Structure control of InGaP/GaAs hetero-interface by in-situ ellipsometry and numerical analysis of InGaAsP quaternary materials growth in MOVPE. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.111 - 111.