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(In Japanese)ErPのOMVPE成長におけるEr原料

Research report code R000000570
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)竹田 美和
  • (In Japanese)藤原 康文
Affiliation
  • (In Japanese)名古屋大学
  • (In Japanese)名古屋大学
Research organization
  • (In Japanese)名古屋大学
Report name (In Japanese)ErPのOMVPE成長におけるEr原料
Technology summary (In Japanese)本研究では,OMVPE(有機金属気相エピタクシー)法によるErPの成長におけるEr原料の問題を扱った。OMVPEでは原料の選択が重要で,妥当な温度範囲(好ましくは配管の加熱が不要なRT以下)での妥当な蒸気圧(数百mTorr~数Torr)が求められ,また,その温度下における原料は液相で,バブリングによる原料ガスの水素飽和によって供給されることが望まれる。例えばTMGa(OMVPEにおける代表的Gaソース)は,0℃下での蒸気圧が0.7Torrで,成長速度1ML(1分子層)/秒で使われる。表1に示す様に,現存のEr原料である以下「1)(MeCp)3・Erや,2)Er(DPM)3や,3)(i-PrCp)3・Er」は全て,融点が高すぎて蒸気圧も高くはない。実験結果例では,原料1)とTBPを用いた20分の成長(条件は100℃,125sccm)で,1MLのErP成長を示した。原料2)と3)の結果所見や検討も含む。
Drawing

※Click image to enlarge.

R000000570_01SUM.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Thin films of other inorganic compounds
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Published papers related (In Japanese)(1)L. Bolotov, Y. Takeda, A. Nakamura et al.: Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1534 (1997).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)竹田 美和,藤原 康文. Er sources in OMVPE growth of ErP. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.126 - 126.

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