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(In Japanese)InAs量子ドットの製作における精密制御

Research report code R000000574
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)さいとう ひであき
  • (In Japanese)にし けんいち
Affiliation
  • (In Japanese)日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
  • (In Japanese)日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
Research organization
  • (In Japanese)日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
Report name (In Japanese)InAs量子ドットの製作における精密制御
Technology summary (In Japanese)本報ではInAs量子ドットの製作における精密制御を扱った。QW(量子井戸)やQD(量子ドットの作製に必要な精密制御は,光学的および電子的ウエーブパケットの相互制御構造に適用するためには不可欠である。転位無しのQDは従来から自己形成法で作られてきた。QDの形状の制御や均一性を改善すべく,本報では,温度条件を変えて,QD製作時における形状の詳細を観察・検討した。カップルドQDではエネルギーレベルの連結のため水平方向と垂直方向における間隔を精密制御する必要があるので,QDを層に密配置する場合や層に集積する場合の検討もした。実験では分子ビームエピタクシーを用いて温度510度と550度で,GaAs基板上にInAsを成長させてQDを製作した。実験結果として,図1にQDの径の関数としてのQDの高さを,図2には室温で測ったフォトルミネッセンスのエネルギースペクトルを示した。
Drawing

※Click image to enlarge.

R000000574_01SUM.gif R000000574_02SUM.gif
Research field
  • Semiconductor lasers
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
  • Solid‐state devices in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)さいとう ひであき,にし けんいち. Precise control of the fabrication in InAs quantum dots. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.135 - 136.

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