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(In Japanese)スピン-電荷結合電子デバイスの基礎としてのスピンインジェクション

Research report code R000000575
Posted date Sep 30, 2002
  • (In Japanese)鈴木 義茂
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所エレクトロニクス部門(旧電子技術総合研究所)
Research organization
  • (In Japanese)産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門(旧電子技術総合研究所)
Report name (In Japanese)スピン-電荷結合電子デバイスの基礎としてのスピンインジェクション
Technology summary (In Japanese)本報では,スピン-電荷結合電子デバイスの基礎としてのスピンインジェクション(注入や移動)を扱った。多くの電子素子は電子の2視点(電荷とスピン)を電流と磁化として別々に利用している。GMR(巨大磁気抵抗効果)やTMR(トンネル磁気抵抗効果)の発見は,電子素子においてこの2つの自由度を連結して,スピン-電荷結合を利用する新たな素子の研究分野を開いた。図1に,各々磁気モーメントの方向が異なる強磁性体2つを突合せた界面を通過する電流と界面で発生するスピン依存散乱に起因する磁気抵抗効果やスピンインジェクションの概念を,図2にトンネル接合の試作例を示す。本プロジェクトでは,上記効果を利用した新機能(スピンインジェクションやスピン依存の輸送効果に基づく電子スイッチング、スピンインジェクションに基づく磁気スイッチング、磁気位相遷移の利用,さらに高品位TMR)の開発を進めている。

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R000000575_01SUM.gif R000000575_02SUM.gif
Research field
  • Magnetic properties of metals
  • Magnetic properties of inorganic compounds
  • Solid‐state devices in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Published papers related (In Japanese)(1)S. Yuasa, T. Sato, E. Tamura, Y. Suzuki, H. Yamamori, K. Ando, and T. Katayama, Europhysics Letter, in press.
(2)Y. Suzuki, T. Katayama, P. Bruno, S. Yuasa, and E. Tamura, Phys. Rev. Lett., 80, (1998) 5200.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)鈴木 義茂. Spin-injection as a base of the spin-charge coupled electronic devices. 戦略的基礎研究推進事業「電子・光子等の機能制御」The First CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2000. p.137 - 137.