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(In Japanese)Si量子ドット形成とメモリデバイスの動作解析

Research report code R000000657
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)宮崎 誠一
  • (In Japanese)香野 淳
Affiliation
  • (In Japanese)広島大学
  • (In Japanese)福岡大学
Research organization
  • (In Japanese)広島大学
  • (In Japanese)福岡大学
Report name (In Japanese)Si量子ドット形成とメモリデバイスの動作解析
Technology summary (In Japanese)モノシランの減圧化学気相堆積の初期反応制御により,自己組織化的にシリコン量子ドット(SiQD)をシリコン酸化膜上に高密度,一括形成することができた。その形成メカニズムを解明し,SiQDのサイズおよび位置制御に関する研究を行った。原子間力顕微鏡シリコンカンチレバーによる局所酸化法または水素分圧下の走査トンネル顕微鏡PtIr探針による局所電子ビーム照射法により,SiQDを位置制御することができた(図1,図2)。また,多値メモりの実現を目指して,SiQDフロティングゲートMOSメモりの開発を行い,SiQDフローティングゲートMOSトランジスタが室温でメモり動作することを実証した。室温,ゲート電圧0Vにおいてドット当たり電子約1個が安定に保持されること,およびドットへの電子注入がゲート電圧に対して多段階的に起こることを明らかにした(図3,図4)。さらに,QDフロティングゲートを2層構造にすると,1層目から2層目の量子ドットへの電子移動が起こることがわかった。
Drawing

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R000000657_01SUM.gif R000000657_02SUM.gif R000000657_03SUM.gif R000000657_04SUM.gif
Research field
  • Applications of electron beams and ion beams
  • Atomic interactions
  • Semiconductor thin films
  • Memory units
Published papers related (In Japanese)(1)S. Miyazaki et al., Thin Solid Films 369 (2000) p.55.
(2)A.Kohno et al.,Jpn.J.Appl.Phys.40(2001)p.L721.
(3)A.Kohno et al.,Ext.Abst.of the 1997 Int.Conf.on SSDM(Hamamatsu,1997)p.566.
(4)A.kohno et al.,Ext.Abst.of the 1998 Int.Conf.SSDM(Hiroshima,1998)p.174.
(5)M.Ikeda et al.,Ext.Abst.of the 2001 Int.Conf.on SSDM(Tokyo,2001)p.308.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)宮崎 誠一,香野 淳. Si量子ドット形成とメモリデバイスの動作解析. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.41 - 41.

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