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(In Japanese)表面・界面反応制御によるナノ構造形成と評価

Research report code R000000659
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)高萩 隆行
  • (In Japanese)坂上 弘之
  • (In Japanese)新宮原 正三
  • (In Japanese)横山 新
Affiliation
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
Research organization
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学ナノデバイス・システム研究センター
Report name (In Japanese)表面・界面反応制御によるナノ構造形成と評価
Technology summary (In Japanese)固体表面や界面における特異的化学反応を利用することによって,原子,分子オーダの微細構造を多数集積する研究を行った。シリコン細線形成法を開発し,低温非線形伝導特性(図1)を観測した。クーロンブロッケイド,クーロン振動が明りょうに観測された。また,シリコン表面の選択的化学反応を用いたナノ構造体形成として,周期的水素終端構造を持つシリコンウエハを用いてアルミニウム細線の周期的配列構造を自己組織的に形成できた。また,さらにアルミニウム陽極酸化法によって,SiO2/Si基盤上にアルミニウムドットの六角格子配列構造を形成することができた(図2)
Drawing

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R000000659_01SUM.gif R000000659_02SUM.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Noncatalytic reactions
  • Electrode process
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)高萩 隆行,坂上 弘之,新宮原 正三,横山 新. 表面・界面反応制御によるナノ構造形成と評価. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.43 - 43.

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