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(In Japanese)刺激応答スピンシステム

Research report code R000000684
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)阿波賀 邦夫
  • (In Japanese)瀬川 浩司
  • (In Japanese)村田 滋
Affiliation
  • (In Japanese)東京大学大学院総合
  • (In Japanese)東京大学大学院総合
  • (In Japanese)東京大学大学院総合
Research organization
  • (In Japanese)東京大学大学院総合
Report name (In Japanese)刺激応答スピンシステム
Technology summary (In Japanese)有機量子デバイス構築を目標として,Mn12核クラスター錯体の分子レベルでのメモリー効果,ポルフィリンπラジカルオリゴマーのスピン整列と光制御,及び光励起エネルギー移動による高スピン状態の高効率的発生について検討した。Mn12核クラスター錯体(図1)の結晶溶媒を含む系を合成し,その磁化曲線が二段階で飽和することを発見した。メソ位直結型Znポルフィリンπラジカルオリゴマーの合成と物性を検討した。光照射により電子移動が起こり,ポルフィリンダイマービラジカルが生じ,スピン整列が可能であることが明らかになった。光吸収部位としてピレンを有する有機高スピン前駆物質(図2)を合成し,この化合物の光化学的挙動を検討した。光吸収部位を高スピン前駆部位に連結させてスピン発生効率の増加が可能であることを実験的に示した。
Drawing

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R000000684_01SUM.gif R000000684_02SUM.gif
Research field
  • Magnetic properties of organic compounds
  • Photochemical reactions
  • Condensed tetra‐or more‐cyclic carbocyclic compounds
  • Eight or more‐membered heterocyclic compounds
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)阿波賀 邦夫,瀬川 浩司,村田 滋. 刺激応答スピンシステム. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.83 - 83.

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