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(In Japanese)シリコンクラスレートおよび関連するシリコンナノネットワーク薄膜の合成

Research report code R000000700
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)山中 昭司
  • (In Japanese)小久保 真
  • (In Japanese)時永 雄介
  • (In Japanese)犬丸 啓
  • (In Japanese)花房 謙二
  • (In Japanese)亀井 一人
  • (In Japanese)新谷 昭
Affiliation
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)住友金属工業
  • (In Japanese)住友金属工業
  • (In Japanese)住友金属工業
Research organization
  • (In Japanese)広島大学工学部
  • (In Japanese)住友金属工業
Report name (In Japanese)シリコンクラスレートおよび関連するシリコンナノネットワーク薄膜の合成
Technology summary (In Japanese)金属内包シリコンクラスレートを基板として用い,エピタキシャル成長によりSi46の合成を試みた。Si基板上にBa-Au-Si三元系のシリコンクラスレートを合成し,これを下地として,Si46をエピタキシャル合成することを試みた。基板にはSi(100)を用い,SiとAuは電子ビーム加熱により,Baは抵抗加熱により蒸着した。得られた膜のX線回折測定から,格子定数10.4Aで,Ba8Au6Si40に相当するクラスレートの生成が確認された。酸化膜を除くため,基板のエッチングを行い,チャンバー内を850℃で真空加熱し,さらにSiを表面に薄く蒸着した。この表面にBaとAuを蒸着し,Siと反応させ,三元系シリコンクラスレート薄膜を得た。これを下地として,種々の条件でSiを電子ビーム蒸着し,Si46薄膜を合成した(図1)。
Drawing

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R000000700_01SUM.gif
Research field
  • X‐ray diffraction methods
  • Crystal structure of molecular compounds in general
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Molecular compounds
Published papers related (In Japanese)(1)H. Kawaji, H. Horie, S. Yamanaka, M. Ishikawa, Phys. Rev. Lett.. 74, 1427 (1995).
(2)S. Yamanaka, E. Enishi, T. Yasukawa, H. Fukuoka, Ba8Si46, Inorg. Chem., 39, 56 (2000).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)山中 昭司,小久保 真,時永 雄介,犬丸 啓,花房 謙二,亀井 一人,新谷 昭. シリコンクラスレートおよび関連するシリコンナノネットワーク薄膜の合成. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.110 - 110.

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