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(In Japanese)光電流増倍現象に基づくガスセンシングデバイス

Research report code R000000706
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)藤野 健太郎
  • (In Japanese)吉田 学
  • (In Japanese)平本 昌宏
  • (In Japanese)横山 正明
Affiliation
  • (In Japanese)大阪大学工学研究科
  • (In Japanese)大阪大学大学院工学研究科
  • (In Japanese)大阪大学工学研究科
  • (In Japanese)大阪大学大学院工学研究科
Research organization
  • (In Japanese)大阪大学大学院工学研究科
Report name (In Japanese)光電流増倍現象に基づくガスセンシングデバイス
Technology summary (In Japanese)有機/金属界面における増倍光電流及び暗電流の,酸素ガス圧に対する敏感な応答を観測した。酸素によって増大する注入電荷数は吸着ガス分子数の107倍に達し,増倍現象を利用した増幅型のガスセンシングデバイスとなることが分った。金(111)表面にCuPcをエピタキシャル成長させ,ついでInを蒸着してIn/CuPc/Au(111)セルを作製した。Inを正に電圧印加し,酸素を導入して光を照射すると,酸素圧の増加と共に光電流増倍率が増加した(図1)。高電圧では,光照射無しでも増倍による暗電流が流れ,この暗電流も酸素導入で著しく増加した(図2)。この素子における増倍は,正にバイアスしたIn/CuPc界面に,光照射時には光生成電子,暗時には金電極からの注入電子がトラップされて電界集中が起こり,Inからホールがトンネル注入される機構で起こる。
Drawing

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R000000706_01SUM.gif R000000706_02SUM.gif
Research field
  • Measuring instruments in general
  • Thin films of organic compounds
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Solid‐solid interface
  • General
Published papers related (In Japanese)(1)M. Hiramoto, K. Nakayama, T. Katsume, and M. Yokoyama, Appl. Phys. Lett., 73, 2627 (1998).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)藤野 健太郎,吉田 学,平本 昌宏,横山 正明. 光電流増倍現象に基づくガスセンシングデバイス. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.120 - 120.

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