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(In Japanese)単一電子電荷計読み出しを使った微小メモリセル

Research report code R000000712
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)馬場 雅和
  • (In Japanese)中村 泰信
  • (In Japanese)安井 孝成
  • (In Japanese)蔡 兆申
Affiliation
  • (In Japanese)日本電気(株)基礎研究所
  • (In Japanese)日本電気(株)基礎研究所
  • (In Japanese)科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
  • (In Japanese)日本電気(株)基礎研究所
Research organization
  • (In Japanese)日本電気(株)基礎研究所
  • (In Japanese)科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業
Report name (In Japanese)単一電子電荷計読み出しを使った微小メモリセル
Technology summary (In Japanese)アルミ単一電子トランジスタが室温でも十分な電荷分解能を持つことをこれまで示して来た。今回この特性をメモリの読み出し部に使った室温動作を目指した単一/少数電子メモリを二つ紹介する。
1)微小トンネル接合・金属島の2次元アレーを自己組織的に形成する金微粒子・有機分子系を使って単一電子トラップ型メモリセルを試作した。記憶部に,直径数nmのものが容易に得られる金微粒子の2次元アレーを用い,読み出しにアルミSETを用いた構造である(図1)。メモリ動作が確認された(図2;ゲート特性)。また,電子の放出特性の温度依存性より,単一電子トラップ型であることを確認した,
2)一方,強誘電体は,一般的に高不揮発性であり,高耐久性が期待できる。電荷蓄積部として強誘電体を用いた単一電子メモリセル(図3)を試作した。これは書込み電圧を印加すると,強誘電体中での電荷移動を示唆する不規則な位相変動が,アルミSETのクーロン変調に観測された。
Drawing

※Click image to enlarge.

R000000712_01SUM.gif R000000712_02SUM.gif R000000712_03SUM.gif
Research field
  • Dielectrics in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Transistors
  • Semiconductor integrated circuit
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)馬場 雅和,中村 泰信,安井 孝成,蔡 兆申. 単一電子電荷計読み出しを使った微小メモリセル. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.130 - 130.

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