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(In Japanese)V溝AlGaAs/GaAs量子細線の磁気PLおよび磁気抵抗の測定

Research report code R000000754
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)永宗 靖
  • (In Japanese)王 学論
  • (In Japanese)辻川 智子
  • (In Japanese)榊 裕之
  • (In Japanese)小倉 睦郎
Affiliation
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • (In Japanese)東京大学生産技術研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
Research organization
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • (In Japanese)東京大学生産技術研究所
Report name (In Japanese)V溝AlGaAs/GaAs量子細線の磁気PLおよび磁気抵抗の測定
Technology summary (In Japanese)量子細線の構造に依存する光学的特性あるいは電気的特性は,量子細線のデバイス化に向けての重要な評価項目である。今回,細線の角度分解磁気PL測定により細線内に閉じ込められている励起子の形状及び磁気抵抗測定により細線内に閉じ込められている電子の形状について評価した。図1は12Tでの磁気PLのピーク位置のエネルギーシフト量の角度分解測定の結果である。左側の矢印部分にわずかに構造が見られるが,これは細線の三日月形の断面形状に関連していると考えられる。また,中央の矢印は励起子が面内で矩形であることを示している。図2はドーピングした試料の磁気抵抗である。低磁場側の負の磁気抵抗は磁場による界面散乱の抑制によるものと考えられ,破線の矢印の位置から移動度1.1m2/VSが見積もられる。図3にそのランダウプロットを示す。矢印で示すデポピュレーションの位置から電子に対する細線の面内の有効閉じ込め幅が16.4nmと見積もられる。
Drawing

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R000000754_01SUM.gif R000000754_02SUM.gif R000000754_03SUM.gif
Research field
  • Quantum optics in general
  • Excitons
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Measuring techniques and equipments of magnetic materials
  • Electrooptical effects, magnetooptical effects
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)永宗 靖,王 学論,辻川 智子,榊 裕之,小倉 睦郎. AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.200 - 200.

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