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(In Japanese)AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス

Research report code R000000755
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)諸橋 功
  • (In Japanese)小森 和弘
  • (In Japanese)安平 哲太郎
  • (In Japanese)岡田 工
  • (In Japanese)鶴町 徳昭
  • (In Japanese)鶴町 徳昭
  • (In Japanese)彦坂 憲宣
  • (In Japanese)王 学論
  • (In Japanese)小倉 睦郎
Affiliation
  • (In Japanese)湘南工科大学大学院工学研究科
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • (In Japanese)東海大学短期大学部
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)新エネルギー・産業技術総合開発機構
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所(旧電子技術総合研究所)
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
Research organization
  • (In Japanese)湘南工業大学工学部
  • (In Japanese)経済産業省 産業技術総合研究所電子技術総合研究所
  • (In Japanese)東海大学短期大学部
  • (In Japanese)新エネルギー・産業技術総合開発機構
Report name (In Japanese)AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス
Technology summary (In Japanese)超高速素子への応用を目指して半導体量子ナノ構造の研究を行っている。今回,流量変調法によって形成した高品質量子細線のピコ秒以下の時間領域での超高速キャリアのダイナミクスを調べた。V溝GaAs基板上に流量変調法を用いて多周期の量子細線構造を形成し,メサ上の<100>を除去し,再成長によってAlGaAsクラッド層を形成し,表面を平坦化した結果,三日月形状した量子細線が形成された(図1)。図1にはこのサンプルのPLE特性を示す。偏光異方性を有するピークが見られる。量子細線中の励起子の超高速ディナミクスはポンププローブ法と電気光学(EO)サンプリング法によって調べた。図2には,遅延時間に対するポンププローブ法の反射率変化と反射スペクトルの遅延時間依存性を示す。これから励起子固有の励起子シフトとブロードニング特性が見られた。図3には,量子細線を超短光パルス励起した際に発生するテラヘルツ電磁波を自由空間EOサンプリング法によって測定した結果を示す。
Drawing

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R000000755_01SUM.gif R000000755_02SUM.gif R000000755_03SUM.gif
Research field
  • Quantum optics in general
  • Excitons
  • Electrooptical effects, magnetooptical effects
  • Inorganic compounds and elements in general
  • Materials of solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)諸橋 功,小森 和弘,安平 哲太郎,岡田 工,鶴町 徳昭,彦坂 憲宣,王 学論,小倉 睦郎. AlGaAs/GaAs量子細線中の超高速励起子ダイナミクス. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.201 - 201.

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