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(In Japanese)MOCVD定成長による量子細線のゲイン結合DFBレーザ

Research report code R000000757
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)T.G. Kim
  • (In Japanese)T.G. Kim
  • (In Japanese)C.-S. Son
  • (In Japanese)C.-S. Son
  • (In Japanese)小倉 睦郎
  • (In Japanese)小柴 正則
  • (In Japanese)辻 寧英
Affiliation
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)新エネルギー・産業技術総合開発機構
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)新エネルギー・産業技術総合開発機構
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)北海道大学
  • (In Japanese)北海道大学
Research organization
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)新エネルギー・産業技術総合開発機構
  • (In Japanese)北海道大学
Report name (In Japanese)MOCVD定成長による量子細線のゲイン結合DFBレーザ
Technology summary (In Japanese)ここ10年間量子細線は多くの成果を収めた。しかし量子細線と同時に成長する寄生パラ量子井戸は,しばしば量子細線のユニークな特性を阻害する。この問題を回避する方法として,量子細線を利得結合分配フィードバックレーザ(GC-DFB)を提案した。量子細線活性格子化法を用いるGC-DFB効果によってデバイスの性能が向上できるものと期待した。しかし,このデバイスの研究は依然としてその初期段階に留まっている。それはエッチングにおける非放射再結合センタや再成長界面,構造的な複雑さなどの理由によるものである。本研究においては,界面問題を回避し,低いしきい値電流において,操作温度を高めることを目的として,単一MOCVD成長法を用いて量子細線レーザを作成した。作成した量子細線を用いたデバイスの性能は室内温度において,低いしきい値電流を達成できた。図1に,このデバイスの基本構造及び幾つかの特性を示した。
Drawing

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R000000757_01SUM.gif
Research field
  • Quantum optics in general
  • Lattice defects in semiconductors
  • Electric conduction in semiconductors and insulators in general
  • Materials of solid‐state devices
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)T.G. Kim,C.-S. Son,小倉 睦郎,小柴 正則,辻 寧英. Quantum-wire gain-coupled DFB lasers by constant MOCVD growth. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.203 - 203.

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