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(In Japanese)様々な電子材料からのテラヘルツ電磁波放射

Research report code R000000761
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)斗内 政吉
Affiliation
  • (In Japanese)大阪大学超伝導フォトニクス研究センター
Research organization
  • (In Japanese)大阪大学超伝導フォトニクス研究センター
Report name (In Japanese)様々な電子材料からのテラヘルツ電磁波放射
Technology summary (In Japanese)本研究では,様々な電子材料(半絶縁性GaAs基板,など)からのテラヘルツ電磁波放射を観測し,それら放射特性から,テラヘルツ電磁波放射機能並びに光励起された電荷の超高速ダイナミックスを明らかにする。図1にSIーGaAs基板からのテラヘルツ電磁波放射の例を示す。 LT-GaAsやYBCO薄膜に比べて,比較的大きな放射パワーを得ている。図2にLT-GaAsからのポンプブローブテラヘルツ電磁波放射の観測例を示す。 LT-GaAs中における光励起後の超高速ダイナミックスが観測されており,緩和過程成分として200fs以下ものが存在することが示唆されている。また,SI-GaAsの放射温度依存性は,移動度とバレー間遷移によって説明される。図3には,Pr0.7Ca0.3MnO3薄膜上に作製した光スイッチからのテラヘルツ電磁波放射の観測例で,Mn系酸化物からとしては世界ではじめてのテラヘルツ電磁波放射観測である。
Drawing

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R000000761_01SUM.gif R000000761_02SUM.gif
Research field
  • Electromagnetism in general
  • Quantum optics in general
  • Inorganic compounds and elements in general
  • Materials of solid‐state devices
Published papers related (In Japanese)(1)N. Kida and M. Tonouchi "Terahertz radiation for magnetoresistive Pr0.7Ca0.3MnO3 thin films" Applied Physics Letters vol78.No26(2001)4115.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)斗内 政吉. 様々な電子材料からのテラヘルツ電磁波放射. 戦略的基礎研究推進事業 量子効果等の物理現象 第4回シンポジウム予稿集,2000. p.211 - 211.

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