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(In Japanese)イオン伝導体接合界面の構造

Research report code R013000270
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)服部 武志
Affiliation
  • (In Japanese)東北大学
Research organization
  • (In Japanese)東北大学
Report name (In Japanese)イオン伝導体接合界面の構造
Technology summary (In Japanese)イオン伝導体接合界面の構造を調べるために,本研究では,測定目的により種々の基板上に,Ybを含むSrCeO3(SCO)とSrZrO3(SZO)超格子をレーザーアブレーション法で作製した。その作製条件を主に基板との関係で,X線解析,RHEED測定,ラザフォード後方散乱のチャンネル実験の結果を用いて成長面を決定し,得られた超格子の主に接合界面の構造を赤外吸収実験の結果により議論する。赤外吸収スペクトルは,FT-IR ATR法により測定した。プロトンとデュートロンを含む,積層比と積層周期を変えた人工超格子で赤外吸収スペクトルを測定し,吸収バンドの位置からO-H,O-D伸縮振動バンドを同定した。S/N比を考慮してO-D伸縮振動バンドを解析した。その結果,O-D伸縮振動による吸収バンドは,主にSCOが寄与するバンドと主にSZOが寄与するバンドの2つがあること,人工超格子において生じる格子整合性による歪みがO-D結合状態を変えていると結論できる。
Research field
  • Electrical properties of interfaces in general
Published papers related (In Japanese)(1)S. Bredkhin, T. Hattori, M. Ishigame, Phys Rev. B50 (1994) 2444.
(2)N. Sata, H. Yugami, Y. Akiyama, T. Hattori, S. Yamaguchi, M. Ishigame, Solid State Ionics 121 (1999) 321.
(3)N. Sata, H. Sone, N. Kitamura, T. Hattori, M. Ishigame, Solid State Ionics 136-137 (2000) 197.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Research and Development of System Technologies for Resource Recycling and Minimum Energy Requirement
Information research report
  • (In Japanese)服部 武志. イオン伝導体接合界面の構造. 戦略的基礎研究推進事業「資源循環・エネルギーミニマム型システム技術」 第1回公開シンポジウム予稿集 「20世紀型文明」からの脱却を目指して,2001. p.46 - 47.

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