Top > Search Research paper > (In Japanese)Cu1-xTlxBa2Can-1CunOy(n=3&4)超伝導薄膜の作製と特性

(In Japanese)Cu1-xTlxBa2Can-1CunOy(n=3&4)超伝導薄膜の作製と特性

Research report code R013000280
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)A. Sundaresan
  • (In Japanese)J. C. Nie
  • (In Japanese)I. A. Crisan
  • (In Japanese)平井 学
  • (In Japanese)藤原 真吾
  • (In Japanese)浅田 秀人
  • (In Japanese)P. Badica
  • (In Japanese)石浦 由美子
  • (In Japanese)伊原 英雄(故人)
Affiliation
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
Research organization
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
Report name (In Japanese)Cu1-xTlxBa2Can-1CunOy(n=3&4)超伝導薄膜の作製と特性
Technology summary (In Japanese)Cu1-xTlxBa2Can-1CunOy(n=3,4)超伝導材料(以後Cu,Tl-1223とCu,Tl-1234と記す)の薄膜をアモルファス相エピタキシー法で作製してきた。(100)SrTiO3上に作製した薄膜は115KのTcと,77K,0Tで20MA/cm2のJcを示した。しかしマイクロ波応用などのためには,低い誘電率とtanδを持ち超伝導材料との格子マッチングが良く,さらに大面積が得られる基板が望ましい。そこで一部ながらそれらを満足する基板,MgOとサファイアを試みた。MgO基板ではTcは115Kと高いがJcは0.2MA/cm2と低い。これは大きな格子ミスマッチによるab面の乱れによる。サファイア基板にはCeO2バッファ層を採用した。しかしこれはうまくいかなかった。さらにもう一層のバッファ層TlSr2CaCu2Oyを積んで,Tc=104Kと77K,0.1TでJc>0.3MA/cm2のCu,Tl-1223を得た。さらなるJcの増加のためにピン止め中心の導入を試みた。手法は短時間スパッタリングで金属または磁性ナノドットを作る。銀のナノドットを3-5秒スパッタしてAFMで見た結果を図1に示す。二重バッファ付きサファイア基板,ナノドット有無のSTO(SrTiO3)基板について,垂直DC磁場,77.3Kで測定したJcを図2に示す。
Drawing

※Click image to enlarge.

R013000280_01SUM.gif R013000280_02SUM.gif
Research field
  • Crystal growth of oxides
  • Oxide thin films
  • Properties of oxide superconductors
  • Superconducting materials
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)A. Sundaresan,J. C. Nie,A. Crisan,平井 学,藤原 真吾,浅田 秀人,P. Badica,石浦 由美子,伊原 英雄. Preparation and properties of Cu1-xTlxBa2Can-1CunOy(n=3 & 4) superconducting thin films. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.35 - 35.

PAGE TOP