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(In Japanese)多層の高Tc銅酸化物における63Cuと17OのNMR研究

Research report code R013000283
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)小手川 恒
  • (In Japanese)徳永 陽
  • (In Japanese)石田 憲二
  • (In Japanese)北岡 良雄
  • (In Japanese)伊豫 彰
  • (In Japanese)田中 康資
  • (In Japanese)鬼頭 聖
  • (In Japanese)伊藤 賢
  • (In Japanese)常盤 和靖
  • (In Japanese)渡辺 恒夫
  • (In Japanese)伊原 英雄(故人)
Affiliation
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
Research organization
  • (In Japanese)東京理科大学
  • (In Japanese)独立行政法人 産業技術総合研究所
  • (In Japanese)大阪大学
Report name (In Japanese)多層の高Tc銅酸化物における63Cuと17OのNMR研究
Technology summary (In Japanese)多層の銅酸化物は結晶学的に等価でない二種類のCuO2面,すなわちピラミッド型酸素配位をもつ外側の面(OP)と正方酸素配位をもつ内側の面(IP)を含んでいる。NMR研究は各面でキャリア濃度(Nh)が違うことを明らかにしてくれた。我々はここに,HgおよびCuベースの銅酸化物におけるCuO2面のキャリア濃度の系統的変化を示す。それには単位セル中のCuO2面の数(n=3~5)と全キャリア濃度(δ)を変えている。各面のキャリア濃度Nh(OP)とNh(IP)は63Cuのナイトシフト(図1)から求めた。各Nhおよびその差ΔNh=Nh(OP)-Nh(IP)を図2示す。ΔNhはδおよびnが増えるにつれて増えている。大きなΔNhを持つCu1234(n=4)では,IPの中の超伝導ギャップはTc=117K以下で十分に出来ているが,OPのそれはTc以下Tc2=60Kまでリニアに増加している。これはIPとOPの間のキャリア分布の大きな不揃いがそれらのデカップリングの原因であることを示唆している。Hg-1223では,Nh(OP)はNh(IP)に比較的近い。これはこの系が現在まで一番高いTc=133Kを持つ理由である。Tl-1223の系で最近報告されたTc>130Kも同じ状況によるものと理解される。
Drawing

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R013000283_01SUM.gif R013000283_02SUM.gif
Research field
  • Properties of oxide superconductors
  • Superconducting materials
  • NMR of other inorganic compounds
Published papers related (In Japanese)(1)Y. Tokunaga et al., Phys. Rev. B 61 (2000) 9707.
(2)A. Iyo et al., Physica C 357-360 (2001) 324.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)小手川 恒,徳永 陽,石田 憲二,北岡 良雄,伊豫 彰,田中 康資,鬼頭 聖,伊藤 賢,常盤 和靖,渡辺 恒夫,伊原 英雄. 63Cu- and 17O-NMR Study of Multilayered High-Tc Cuprates. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.38 - 38.

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