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(In Japanese)先端放電型マイクロ波プラズマCVDを用いたIr(001)/MgO(001)基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長

Research report code R013000288
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)藤崎 豊克
  • (In Japanese)立木 実
  • (In Japanese)川原田 洋
Affiliation
  • (In Japanese)早稲田大学
  • (In Japanese)早稲田大学
  • (In Japanese)早稲田大学
Research organization
  • (In Japanese)早稲田大学
Report name (In Japanese)先端放電型マイクロ波プラズマCVDを用いたIr(001)/MgO(001)基板上へのヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長
Technology summary (In Japanese)ヘテロエピタキシャルダイヤモンド(001)薄膜を高品質のIr(001)/MgO(001)基板上に成長することに成功した。ダイヤモンドの核形成密度を上げるために,バイアス核形成時に先端放電型マイクロ波プラズマCVDを用いた。このCVD法を自然界の尖端放電現象「セントエルモの火」に因んで,「セントエルモ CVD」と名づけた(図1)。核生後形成後の成長は通常のマイクロ波プラズマCVDを用いて行った。SEMとRHEEDから数mm2の範囲でダイヤモンドエピタキシャル薄膜が成長していることが確かめられた。さらにRHEEDパターンには水素終端ダイヤモンド(001)表面の2×1/1×2表面再構成構造が観察された(図2の矢印)。ダイヤモンド(001)表面が十分に平坦な場合,逆格子ロッドが延びEwald球と交わり,最表面の2×1/1×2再構成構造が観察される。これ他のことから,原子層レベルで平坦なダイヤモンド薄膜がIr(001)/MgO(001)基板上にエピタキシャル成長していると結論できる。
Drawing

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R013000288_01SUM.gif R013000288_02SUM.gif
Research field
  • Crystal growth of semiconductors
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Semiconductor thin films
  • Surface structure of semiconductors
Published papers related (In Japanese)(1)H. Kawarada, T. Suesada and H. Nagasawa: Appl. Phys. Lett. 65 (1995) 583.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)藤崎 豊克,立木 実,川原田 洋. Heteroepitaxial diamond thin film growth on Ir(001)/MgO(001) substrate by antenna-edge plasma-assisted chemical vapor deposition.. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.54 - 54.

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