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(In Japanese)ダイヤモンドMIS構造の作製に向けたCaF2のPLD成長

Research report code R013000291
Posted date Oct 1, 2003
  • (In Japanese)小林 猛
  • (In Japanese)牧 哲朗
  • (In Japanese)岡本 圭
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
  • (In Japanese)大阪大学
Research organization
  • (In Japanese)大阪大学
Report name (In Japanese)ダイヤモンドMIS構造の作製に向けたCaF2のPLD成長
Technology summary (In Japanese)我々はこの研究で,理想的なダイヤモンドMIS構造を得ることに狙いを定めて,CaF2のPLD(プラズマレーザーデポジション)を行いそのターゲットと成長薄膜の性質を詳しく調べた。CaF2薄膜は,CaF2ターゲットとArFエキシマーレーザー(193nm,20ns)のPLDで成長した。実際に我々は成長膜表面にたくさんのdropletやfragmentが付着するという問題に直面した。ターゲットと基板の間にシャドーマスクを置くことでdropletの形成は防げたが,fragment(~3μm)は残った(図2(a))。このfragment問題は二光子吸収が支配的になるとますます深刻となる。図2にレーザー密度とfragmentの数の関係を示す。閾値は約3J/cm2。しかし,アブレートされたターゲット表面の綿密な検討から新しいことがわかった。すなわち,ターゲットのレーザー照射位置を制御すること(静止ターゲット法)で閾値を超えてもfragmentのないCaF2薄膜を得ることができた(図2(b))。

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R013000291_01SUM.gif R013000291_02SUM.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Thin films of other inorganic compounds
  • Surface structure of solids in general
Published papers related (In Japanese)(1)S. Suzuki, Y. Otsuka, T. Maki and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1031.
(2)Y. Yun, T. Maki, H. Tanaka and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2640.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)小林 猛,牧 哲朗,岡本 圭. PLD growth of CaF2 for fabrication of diamond MIS structure. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.57 - 57.