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(In Japanese)量子ドットにおけるスピン依存エネルギー緩和

Research report code R013000295
Posted date Oct 1, 2003
  • (In Japanese)藤澤 利正
  • (In Japanese)都倉 康弘
  • (In Japanese)D.G. Austing
  • (In Japanese)樽茶 清悟
  • (In Japanese)樽茶 清悟
  • (In Japanese)平山 祥郎
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
  • (In Japanese)東京大学
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Research organization
  • (In Japanese)東京大学
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Report name (In Japanese)量子ドットにおけるスピン依存エネルギー緩和
Technology summary (In Japanese)クーロンブロッケード領域にある半導体量子ドットにはスピンと軌道の効果が様々に現れる。量子ドットの静的性質に加えて動的な振る舞いも将来の量子情報技術に向けて関心が高まっている。系と環境の相互作用に関連したエネルギー緩和時間は動力学の重要な特性の一つである。我々は,トンネリング速度がゲート電圧で制御できる横方向量子ドットと,電子の総数と全スピンがわかる縦方向量子ドットについて,新しいパルス励起測定の手法でスピン依存エネルギー緩和を研究している。量子ドットを非平衡状態に励起するため速いパルス信号をゲート電極に加え,誘起された過渡電流を分析した。量子ドットの中のエネルギー緩和は過渡電流に敏感に現れる。緩和時間は,全スピンを変えないときには(3~10μsよりも)短く,スピン変化がある遷移ではとても(>200μs)長いことがわかった。エネルギー緩和の間のスピン保存則がはっきりと確かめられた。
Research field
  • Electrical properties of interfaces in general
  • Solid‐state devices
Published papers related (In Japanese)(1)T. Fujisawa et al., Science 282, 932 (1998).
(2)T. Fujisawa et al., Phys. Rev. B 63, 081304(R) (2001).
(3)T. Fujisawa et al., Nature. 419, 278 (2002).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)藤澤 利正,都倉 康弘,D.G. Austing,樽茶 清悟,平山 祥郎. Spin-dependent energy relaxation inside a quantum dot. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.74 - 74.