Top > Search Research paper > (In Japanese)ナノ結晶シリコンドットの表面酸化によるPL強度の増加

(In Japanese)ナノ結晶シリコンドットの表面酸化によるPL強度の増加

Research report code R013000304
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)新井 健太
  • (In Japanese)大町 純一
  • (In Japanese)小田 俊理
Affiliation
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Research organization
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Report name (In Japanese)ナノ結晶シリコンドットの表面酸化によるPL強度の増加
Technology summary (In Japanese)ナノ結晶シリコン(nc-Si)ドットを750℃で10分および8時間酸化したもののPLスペクトルを図1の(a)と(b)に示す。各PLスペクトルにピークが見られ,それらは二つのガウス曲線に分離できる(P1とP2)。ここではnc-Siに関連したP2のピークのみを論ずる。図2にはP2のピークの面積比を,nc-Siの直径の関数としてプロットする(基準に酸化がないものをとる)。P2の面積比は酸化時間を増すにつれて,すなわち直径が小さくなるにつれて大きくなっている。直径が4.5nmのあたりに屈曲点がある。この値は結晶Siの励起子ボーア半径に近い。直径がこれより小さくなるとPL強度が急激に増加する。このカーブはα×a-6の関数にフィッティングできる。重なり積分はコア半径aの関数であり,およそa-6のように急激に減衰する。こうして,P2の面積比の急激な増加はnc-Siドットの直径の減少が原因の非フォノン遷移の増加として説明できる。
Drawing

※Click image to enlarge.

R013000304_01SUM.gif R013000304_02SUM.gif
Research field
  • Electronic structure of crystalline semiconductors
  • Luminescence of semiconductors
Published papers related (In Japanese)(1)J. Omachi, R. Nakamura, K. Nishiguchi, and S. Oda, Proceeding of the Materials Research Society (2000 fall meeting), to be published.
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)新井 健太,大町 純一,小田 俊理. Enhancement of PL intensity of surface oxidized nanocrystalline silicon dots. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.93 - 93.

PAGE TOP