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(In Japanese)ネオシリコンとその物性のデバイス応用の可能性

Research report code R013000308
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)嶋田 寿一
  • (In Japanese)安藤 正彦
  • (In Japanese)山口 伸也
Affiliation
  • (In Japanese)(株)日立製作所中央研究所
  • (In Japanese)(株)日立製作所日立研究所
  • (In Japanese)(株)日立製作所中央研究所
Research organization
  • (In Japanese)(株)日立製作所中央研究所
  • (In Japanese)(株)日立製作所日立研究所
Report name (In Japanese)ネオシリコンとその物性のデバイス応用の可能性
Technology summary (In Japanese)バルクにはない特長が強調されたナノシリコン材料のことをネオシリコンとよぶ。ここでは,ネオシリコンを活用した二つの応用の可能性を論ずる。
(1)超低消費電力高速不揮発メモリ:それを実現するには大きなオンオフ電流比をもつトランジスタの開発が一番の近道である。しかしバルクの結晶シリコンでは実現困難であるが,ネオシリコンはその候補である。実際にナノシリコンを用いたメモリやトランジスタに関していくつかの報告がある。しかし,ナノシリコンとバリア材料におけるホッピング伝導のような電流リークのメカニズムを明らかにする必要がある。
(2)バリスティックな冷電子放出-真空無用のEL:KoshidaらはポーラスSiからの冷電子放出を報告した。効率がよく安定で低雑音の電子放出の性質が明らかになった。彼らは,積み重なったナノシリコンを流れるバリスティックな輸送が高電界のもとで起きたと論じている。バリスティック電子は真空中の加速なしで蛍光体を励起できる。真空無用のELがネオシリコンの有望な応用の一つである。
Research field
  • Thermoionic emission and field emission
  • Light emitting devices
  • Solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)嶋田 寿一,安藤 正彦,山口 伸也. Potential Device Application of Neo-Silicon and its Material Characterization. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.97 - 97.

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