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(In Japanese)半導体-半金属ヘテロ構造の電子状態と輸送

Research report code R013000323
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)井上 順一郎
  • (In Japanese)伊藤 博介
  • (In Japanese)渡辺 章雄
Affiliation
  • (In Japanese)Department of Applied Physics, Nagoya University
  • (In Japanese)Department of Applied Physics, Nagoya University
  • (In Japanese)Department of Applied Physics, Nagoya University
Research organization
  • (In Japanese)Department of Applied Physics, Nagoya University
Report name (In Japanese)半導体-半金属ヘテロ構造の電子状態と輸送
Technology summary (In Japanese)最近のSTM測定による研究から,ErP系のサイズを小さくすると半金属(SM)から半導体(SC)に変わることが示された。電子状態と測定結果の関係を理解するために,ヘテロ接合doped-SC/SM/doped-SCに簡単なモデルを採用して電気抵抗の電子構造および系のサイズ依存性を研究した。計算結果の例を図1に示す。横軸のΔEは挿入図参照。ここで最近接サイト間のホッピング積分(~0.5eV)をエネルギーの単位として選んだ。単純立方格子の有限なサイズ(12×12で厚さが5層)を採用したので,SMからSCへの交差はΔE~0.2で起きている。このΔEのところで最大の抵抗増加が見られる。
 リード線を強磁性金属とした場合には、磁気抵抗効果が生じる。磁気抵抗比(磁場印加による抵抗変化をもとの抵抗で割り算したもの、MR ratio)をΔEの関数として計算した結果を下図に示す。ΔE~0の近傍で電気抵抗が比較的低く、かつ磁気抵抗比が大きくなることを示すものであり、応用への可能性がある。
Drawing

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R013000323_01SUM.gif
Research field
  • Electronic structure of crystalline semiconductors
  • Electric conduction in crystalline semiconductors
  • Semiconductor‐semiconductor contacts with Gr.13‐15 element compounds
Published papers related (In Japanese)(1)J. Inoue et al., Phys. Rev. Lett., 85 4610 (2000).
(2)H. Itoh et al., J. Phys. Soc. Jpn., 68 1632 (1999).
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)井上 順一郎,伊藤 博介,渡辺 章雄. Electronic States and Transport Properties of Semicoductor-Semimetal Heterostructures. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.144 - 144.

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