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(In Japanese)強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス

Research report code R013000343
Posted date Oct 1, 2003
Researchers
  • (In Japanese)花村 榮一
Affiliation
  • (In Japanese)千歳科学技術大学
Research organization
  • (In Japanese)千歳科学技術大学
Report name (In Japanese)強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス
Technology summary (In Japanese)ペロブスカイト型遷移金属酸化物は光エレクトロニクス材料として優れた特性をいくつか備えている。そこで,
(1)可視領域の大きな振動子強度を利用して,可視領域で波長を大きく変えられる新しいレーザー材料を開発しようとしている。元素の組み合わせやドーピングの程度など自由度が多く,最適化ができる。
(2)次に,電子やホールの高易動度を利用してLEDやLDを作る。
(3)さらにペロブスカイトや関連結晶の強い振動子強度を利用して,新規な非線形光学材料を手にすることもできる。
(4)最後に,半導体レーザーにおける両極をn型とp型の超伝導体に置き換える。
絶縁性反強磁性(AF)薄膜がこれらの超伝導電極でサンドイッチされると,電子とホールのCooper対が絶縁性AFに侵入できる。各Cooper対は空間的に重なるので,二つの光子が絶縁性AFでできた導波路の前と後から同時に放出される。こうして二つのコヒーレントな光パルスを作ることができる。それは光エレクトロニクスの新しいパラダイムを開くことになろう。
Drawing

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R013000343_01SUM.gif
Research field
  • Quantum optics in general
  • Nonlinear optics
  • Light emitting devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)花村 榮一. 強相関電子系ペロブスカイト遷移金属酸化物による光エレクトロニクス. The Second CREST Symposium on ''Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena'',2001. p.188 - 189.

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