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(In Japanese)三次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用

Research report code R030000023
Posted date Mar 18, 2005
Researchers
  • (In Japanese)廣瀬 全孝
Affiliation
  • (In Japanese)広島大学工学部
Research organization
  • (In Japanese)広島大学
Report name (In Japanese)三次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用
Technology summary (In Japanese)モノシラン(SiH4)の減圧CVDを用いて、SiO2膜上にSi量子ドットを自己組織化形成すると共に平均ドットサイズの制御手法を明らかにした。また、走査プローブ技術を用いて、SiO2表面を反応活性なSi-OH結合で局所的に終端させることによりSi量子ドットの形成位置制御に成功した。自己組織化形成Si量子ドットアレーをフローティングゲートとしてSiO2中に埋め込んだMOSFETを設計・作製し、ドット当り約1個の電子注入・保持によるメモリー動作を室温で確認した。結合量子ドット系における電子輸送理論を開発すると共に、量子デバイスによる情報処理の為の新システムアーキテクチャを提案し、室温でのシステム動作をシミュレーションにより確認した。
Research field
  • Semiconductor thin films
  • Information processing in general
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Transistors
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Quantum Effects and Related Physical Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)廣瀬 全孝. 量子効果等の物理現象 三次元集積量子構造の形成と知能情報処理への応用. 戦略的基礎研究推進事業 平成7年度 採択研究課題 研究終了報告書 概要版 2002. p.365 - 376.

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