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(In Japanese)銅酸化物超伝導体単結晶を用いる超高速集積デバイス

Research report code R030000086
Posted date Mar 18, 2005
Researchers
  • (In Japanese)山下 努
Affiliation
  • (In Japanese)東北大学未来科学技術共同研究センター
Research organization
  • (In Japanese)東北大学
Report name (In Japanese)銅酸化物超伝導体単結晶を用いる超高速集積デバイス
Technology summary (In Japanese)超伝導単結晶集積回路とテラヘルツデバイスの開発に成功した。開発した両面加工プロセスは、様々なデバイス構造とその集積回路を作製することを可能にした。150ミクロン×170ミクロンの領域に積層スタックを256個直列接続したものを作製することにより、10,000以上もの固有ジョセフソン接合を形成させることに成功した。さらにその成果をもとにそれらのテラヘルツデバイスを試作した。例えば、2.5 THzまで観測されたシャピロステップは、テラヘルツ帯の電波天文観測の手段となり、3 Vまで観測された零交差ステップは、高温動作電圧標準器の実現を可能とさせるであろう。さらに、10,000もの固有ジョセフソン接合から成る大規模アレーは、コヒーレント放射に基づく連続発振テラヘルツレーザーとして特に有望視されている。
Research field
  • Crystal growth of oxides
  • Properties of oxide superconductors
  • Josephson junction and elements
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Phenomena of Extreme Conditions
Information research report
  • (In Japanese)山下 努. 極限環境状態における現象 銅酸化物超伝導体単結晶を用いる超高速集積デバイス. 戦略的基礎研究推進事業 平成8年度 採択研究課題 研究終了報告書 概要版 2002. p.491 - 507.

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