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(In Japanese)ミクロ安定化半導体スーパーへテロ界面の高度光機能化

Research report code R030000284
Posted date Feb 22, 2005
Researchers
  • (In Japanese)深津 晋
Affiliation
  • (In Japanese)東京大学大学院総合文化研究科
Research organization
  • (In Japanese)東京大学
Report name (In Japanese)ミクロ安定化半導体スーパーへテロ界面の高度光機能化
Technology summary (In Japanese)本研究では、従来の枠組みを越えて極性の異なる半導体同士をエピタキシャル接合する可能性の追求からスタートし、物質横断型の新しい半導体ヘテロ界面(スーパーヘテロ界面)の構築とともに、III-V 族/IV 族スーパーヘテロ界面によってもたらされる新たな光機能の開拓を目指した。
Drawing

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R030000284_01SUM.gif R030000284_02SUM.gif R030000284_03SUM.gif
Research field
  • Surface structure of semiconductors
  • Luminescence of semiconductors
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
Research project
  • Precursory Research for Embryonic Science and Technology.;Organization and Function
Information research report
  • (In Japanese)深津 晋. ミクロ安定化半導体スーパーへテロ界面の高度光機能化. 「さきがけ研究21」研究報告会 「組織化と機能」領域 講演要旨集(研究期間:1999-2002),2002. p.6 - 7.

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