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(In Japanese)走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子を用いた表面微小構造解析法の開発

Research report code R070000142
File No. R070000142
Posted date Apr 11, 2008
Researchers
  • (In Japanese)水野 清義
Affiliation
  • (In Japanese)九州大学大学院総合理工学研究院
Research organization
  • (In Japanese)九州大学大学院総合理工学研究院
Report name (In Japanese)走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子を用いた表面微小構造解析法の開発
Technology summary (In Japanese)ナノ材料の物性を理解し、新しい機能の発現につなげるためには、その構成原子の種類と位置を3次元的に決定する必要がある。本研究では、走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子線を用いて、表面微小領域に低速電子線を照射し、そこからの回折パターンを測定する手法の開発を目標としている。これにより、ナノ材料の物性を原子一個一個の構造をふまえて評価できるようにし、新材料の開発に役立てたい。
Drawing

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R070000142_01SUM.gif R070000142_02SUM.gif R070000142_03SUM.gif
Research field
  • Microscopy determination of structures
Published papers related (In Japanese)(1) Extraction of scattered low-energy electrons in field emission conditions S. Mizuno, J. Fukuda and H. Tochihara: Surf. Sci 514 (2002) 291-297.
(2) Structural determination of indium-induced Si(111) reconstructed surfaces by LEED analysis: (root3 x root3)R30deg and (4x1) S.Mizuno, Y. O. Mizuno and H. Tochihara: Phys. Rev. B67 (2003) 195410-1-8.
(3) Scattering patterns and energy distribution of the scattered electrons under field emission condition of scanning tunneling microscopy S. Mizuno, J. fukuda, M. Iwanaga and H. Tochihara, Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 5501-5505.
(4) Structure determination of Si(001)-c(4x2) surfaces at 80 K and electron beam effect below 40 K, studied by low-energy electron diffraction S. Mizuno, T. Shirasawa, Y. Shiraishi and H. Tochihara, Phys. Rev. B69 (2004) 241306 (R).
(5) Ground state of the Si(001) surface revisited - is seeing believing? T. Uda, H. Shigekawa, Y. Sugawara, S. Mizuno, H. Tochihara, Y. Yamashita, J. Yoshinobu, K. Nakatsuji, H. Kawai and F. Komori: Prog. Surf. Sci, 76 (2004) 147-162.
Research project
  • Precursory Research for Embryonic Science and Technology.;Nanostructure and Material Property
Information research report
  • (In Japanese)水野 清義. 走査トンネル顕微鏡探針からの電界放出電子を用いた表面微小構造解析法の開発. さきがけライブ2004 ナノテクノロジー分野4領域合同研究報告会 ~ナノテクをさきがける~ 「ナノと物性」領域 講演要旨集(研究期間2001-2004), 2005. p.22 - 23.

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