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(In Japanese)電子・光子等の機能制御 相関エレクトロニクス

Research report code R990004294
Posted date Feb 6, 2001
Researchers
  • (In Japanese)平山 祥郎
Affiliation
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Research organization
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Report name (In Japanese)電子・光子等の機能制御 相関エレクトロニクス
Technology summary (In Japanese)キャリア相関を明確に測定するために必要な半導体構造の基礎的検討,測定装置の設計を行った。薄膜構造においてノンドープヘテロ構造中に高品質キャリアを導く手法を確立した。バックゲートでノンドープヘテロ構造中にキャリアを蓄積する構造を検討し,低密度まで高移動度の二次元電子ガスが実現できた。単一の縦型ドット構造について量子ホール効果領域に相当する強磁場領域でのドット内電子の相互作用を調べ,磁場を強くするにつれ,スピンフリップ領域から,全ての電子のスピンが揃う最大密度液滴(MDD)領域,そしてMDDの破壊と変化した。室温で用いられているSNOM等のナノプローブの低温,極低温で作動するシステムへの拡張を検討した。また光を用いた高速測定について,キャリア相関の測定の予備実験を始めた。
Research field
  • Semiconductor thin films
  • Superconducting materials
  • Josephson junction and elements
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • General
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)平山 祥郎. 電子・光子等の機能制御 相関エレクトロニクス. 戦略的基礎研究推進事業 平成10年度 研究年報,1999. p.547 - 549.

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