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(In Japanese)相関エレクトロニクス

Research report code R000000222
Posted date Sep 30, 2002
  • (In Japanese)平山 祥郎
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Research organization
  • (In Japanese)日本電信電話(株)物性科学基礎研究所
Report name (In Japanese)相関エレクトロニクス
Technology summary (In Japanese)高品質薄膜・ナノ構造でキャリア相関を明らかにすることと,キャリア相関の評価の確立を目指して研究を行った。薄膜構造については,その基本となる二層二次元系において二層の電子密度を完全に自由に制御でき,かつ高移動度が得られる理想的な二層構造を実現し,整数量子ホール効果領域で二層の電子密度のアンバランスの特性への影響を明確にした。図1に磁場一定で各層の電子密度を大きくしたときの量子ホール効果状態の出現パターンを示す。ドット構造に関してはドット内でのキャリア相関,特に磁場中での二つのエネルギー順位が交差するときに見られるフント則を確認すると共に,種々の結合の強さでの結合ドットの伝導特性の研究を進めた。自己組織化ドットと変調ドープ構造を組み合わせた横方向伝導型量子ドット赤外検出器を提案・試作し,波長10μm帯で従来の量子ドット検出器の約1000倍の感度を持つことを確認すると共に量子干渉効果によるスペクトル変化を確認した(図2)。

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R000000222_01SUM.gif R000000222_02SUM.gif
Research field
  • Lattice defects in semiconductors
  • Crystal growth of oxides
Published papers related (In Japanese)(1)K. Muraki, T. Saku, Y. Hirayama, N. Kumada, A. Sawada, Z.F. Ezawa: “Interlayer charge transfer in bilayer quantum hall states at various filling foctors”, Solid State Communications, Vol.112/p625, 1999.11.
(2)A. Kawaharazuka, T. Saku, Y. Hirayama Y. Horikoshi: “Formation of a two-dimensional electron gas in an inverted undoped heterostructure with a shallow channel depth”, Journal of Applied Physics, Vol.87, No.2, p952, 2000.1.15.
(3)K. Kanisawa, H. Yamaguchi, Y. Hirayama: “Two-dimensional growth of InSb thin films on GaAs(111)A substrates”, Applied Physics Letters, Vol.76, No.5, p589, 2000.1.31.
(4)T. Machida, S. Ishizuka, K. Muraki, Y. Hirayama, S. Komiyama: “Resistance fluctuations in integar quantum-Hall transitions”, Physica E 6, p152, 2000.
(5)Z.F. Ezawa, A. Sawada, K. Muraki, Y. Hirayama: “Quantum coherence and skyrmion textures in bilayer quantum Hall systems”, Physica E 6, p640, 2000
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)平山 祥郎. 相関エレクトロニクス. 戦略的基礎研究推進事業 平成11年度 研究年報.科学技術振興事業団, 2000. p.643 - 647.