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(In Japanese)ネオシリコン創製に向けた構造制御と機能探索

Research report code R000000224
Posted date Sep 30, 2002
Researchers
  • (In Japanese)小田 俊理
Affiliation
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Research organization
  • (In Japanese)東京工業大学量子効果エレクトロニクス研究センター
Report name (In Japanese)ネオシリコン創製に向けた構造制御と機能探索
Technology summary (In Japanese)プラズマ条件と参加条件の最適化で,粒径3~4nmのナノ結晶シリコンを目指す。トンネル障壁としての表面酸化膜の重要性に関してはこれまでに明らかにしたが,今後直接熱窒化およびラジカル窒化法により,一層の粒子間隔制御と電気特性の向上を目指す。ネオシリコンの電子輸送特性については,磁場環境での測定や,極低温測定を行い伝導機構の解明を進めている。正孔輸送や単電子素子回路の検討も進めている。ネオシリコンからの電子放出特性に関してはポーラスシリコン並の効率0.8を得ており,今後のドット形成条件,絶縁膜形成条件の最適化で更なる高効率化が期待できる。ネオシリコンの素子応用については,超低消費電力高速動作不揮発性メモリ機能素子,システムオングラス(ガラス基板上へのULSI形成),面電子放出素子について,目標と課題の検討を行った。
Research field
  • Inorganic compounds and elements in general
  • Digital computer hardwares
  • Transistors
  • Light emitting devices
  • General
Research project
  • Core Research for Evolutional Science and Technology;Function Evolution of Materials and Devices based on Electron/Photon Related Phenomena
Information research report
  • (In Japanese)小田 俊理. ネオシリコン創製に向けた構造制御と機能探索. 戦略的基礎研究推進事業 平成11年度 研究年報.科学技術振興事業団, 2000. p.652 - 654.

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