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有機トランジスタ素子と電子・電気機器

Seeds code S120008621
Posted date 2012年2月6日
Researchers
  • 中山 健一
  • 城戸 淳二
  • 夫 勇進
  • 鈴木 文人
Name of technology 有機トランジスタ素子と電子・電気機器
Technology summary エミッタ電極とコレクタ電極との間に有機半導体層とシート状のベース電極が設けられている有機トランジスタ素子であって、ベース電極とコレクタ電極の間に、電荷透過促進層を有するものである。
Drawing

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thum_2008-121657.gif
Research field
  • トランジスタ
Seeds that can be deployed FETの性能はソース・ドレイン電極間のチャネル長が短いほど大電流動作・低電圧駆動、高速応答が可能になるが、塗布や印刷による有機トランジスタでは横方向の微細パターニングは避けたい。そこで、膜厚方向に電流を流す「縦型構造」の有機トランジスタを、単純な半導体/金属/半導体の積層構造で実現する、メタルベース有機トランジスタ(MBOT)が提案されている。しかし、MBOTを気相蒸着による真空一貫プロセスで作製すると、ベース・コレクタ間のリーク電流が大きく、大気下で加熱する必要があった。そこで本発明は、大気圧下加熱処理などを行わずに、MBOT素子構造の改良により良好な電流増幅特性やON/OFF比を得ることを目的とする。
本発明では、オフ電流抑制のためにオフ電流抑制層をベース電極に隣接して挿入する。しかし、このオフ電流抑制層は、エミッタから供給された電子のベース電極透過過程を阻害するため、さらに電荷透過促進層を、ベース電極とオフ電流抑制層の間に挿入する。これらの効果により、大気下加熱処理を行うことなく、オフ電流を抑制し、オン電流を増加させることが可能となる。
Usage Use field 有機FET
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) 国立研究開発法人科学技術振興機構, . 中山 健一, 城戸 淳二, 夫 勇進, 鈴木 文人, . 有機トランジスタ素子と電子・電気機器. 特開2009-272442. 2009-11-19
  • H01L  29/68     
  • H01L  51/05     
  • H01L  51/50     

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