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有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子

Seeds code S110006793
Posted date 2011年12月6日
Researchers
  • 渡辺 康之
  • 工藤 一浩
Name of technology 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子
Technology summary 二つの電極(ソース電極とドレイン電極)の間に有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、あえてキャリアの移動を妨げるバリア層を設け、ゲートに印加する電圧によりバリア層をトンネル効果により流れる電流を制御することによりオン特性を殆ど下げることなく極めて有効なオフ特性を得ることができる。これを利用し、第一の電極、トンネル層としての機能を有する電荷注入障壁層(バリア層)、第一の有機半導体層、第二の電極、第二の有機半導体層、第三の電極を順次積層してなる積層構造を有する有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子とする。バリア層の厚さは、1nm以下であることが好ましく、0.1nm以上1nm以下であることがさらに好ましい。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2007-512797.gif
Research field
  • トランジスタ
Seeds that can be deployed 従来の有機薄膜トランジスタでは、有機半導体層に埋め込まれたゲート電極に電圧を印加しない場合であっても、ソース電極とドレイン電極との間に電界が印加されている場合にはキャリアの移動が起こることによってトランジスタのオフ特性が下がってしまっていること(オフ状態であっても電流を多く流してしまっていること)が課題である。これに対し、オフ特性を向上させ、よりオンオフ比が高く信頼性の高い有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子を提供すること目的とする。
オフ状態では注入障壁の高さを維持しつつ、オン状態ではトンネル層として働くことができ、オンオフ比の高い有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子を得ることができる。
Usage Use field 有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ素子、有機論理素子
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) 国立大学法人 千葉大学, . 渡辺 康之, 工藤 一浩, . 有機薄膜トランジスタ及びそれを用いた半導体素子. . 2008-09-11
  • H01L  29/80     
  • H01L  21/338    
  • H01L  29/812    
  • H01L  51/05     

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