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METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND

Seeds code S100002127
Posted date Oct 7, 2010
Researchers
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)高尾 寛弘
Name of technology METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND
Technology summary (In Japanese)真空容器1内にはSi-O-Si結合を含む化合物として有機ポリシロキサン10が配置されるとともにケイ素基板20が配置されている。光源30としてF2レーザー装置を用い、実質的に真空に減圧した真空容器1内に設置した有機ポリシロキサン10の表面に真空紫外F2レーザー光(波長200nm以下)をレーザアブレーションしきい値以下で照射する。その際、F2レーザー光の光路一部に、金属マスク21を密着させたケイ素基板20をレーザー光に対して垂直に置く。これにより、有機ポリシロキサン10の露光部分から気体(ガス状のケイ素化合物と酸素)が放出され、この気体を利用してレーザー光の光路中に置かれたケイ素基板20上に酸化ケイ素膜を化学蒸着する。つまり、気体のケイ素基板20付近での光分解により酸化ケイ素を膜堆積させる。この化学蒸着に際してケイ素基板20の加熱や冷却は不要であり、室温(常温)で実施できる。有機ポリシロキサン10から放出される気体を利用することにより、光源30の光路中に置かれた基板上に良質の酸化ケイ素膜を化学蒸着することができる。
Drawing

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thum_2003-064304.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Oxide thin films
  • Optical waveguide, optical fibers, and fiber optics
Seeds that can be deployed (In Japanese)炭素混入のない良質の酸化ケイ素膜を室温(常温)で形成可能なSi-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法を提供する。
熱の制限を受けることなく任意の基体上に所望のパターンで良質の酸化ケイ素膜が形成できる。この酸化ケイ素膜を利用して、光導波路やフォトニック結晶などが形成可能であるため、現在の集積回路から将来の光集積回路へ移行するための必要不可欠な技術となる。
Usage Use field (In Japanese)高分子材料、生体材料、低融点材料、光導波路、フォトニック結晶
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)防衛装備庁長官, . (In Japanese)大越 昌幸, 井上 成美, 高尾 寛弘, . METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND. P2004-273869A. Sep 30, 2004
  • H01L  21/316    

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