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METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SiO2 FILM USING LASER ABLATION

Seeds code S100002670
Posted date Nov 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)倉松 雅章
Name of technology METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SiO2 FILM USING LASER ABLATION
Technology summary (In Japanese)シリコーン等のSi-O-Si結合(シロキサン結合)を含む化合物のターゲット2及びターゲット2に対向した基板3を、好ましくは減圧された酸素ガス雰囲気でかつ常温の成膜容器1内に配し、成膜容器1に設けられた入射窓4を通して紫外線乃至真空紫外線のレーザー光をターゲット2に照射し、レーザーアブレーションを利用してSiO2膜を室温で形成する。好ましくは、ターゲットの側鎖を開裂させるため、レーザー光の振動数をν、プランク定数をhとしたとき、hνが、化合物における側鎖の結合エネルギーよりも大きく、レーザ光の照射エネルギー密度が、1J/cm2以上である。また酸素ガス圧が、10-4Torr以上10-1Torr以下である。レーザー光の波長や照射エネルギー密度によってターゲット2の開裂状態を制御でき、紫外可視透過性や電気絶縁性に優れたSiO2膜を、室温で成膜できる。シロキサン結合の結合エネルギーよりもレーザー光のhνは小さいことが必要であるが、側鎖の結合エネルギーよりもシロキサン結合の結合エネルギーは十分大きいので、紫外線乃至真空紫外線のレーザー光であればこの条件を満足させ得る。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2001-046866.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Oxide thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)透明度の高い良質のSiO2膜を室温で形成可能な、レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置を提供する。
熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、その用途は、電気、電子のみならず多くの分野で有用である。
Usage Use field (In Japanese)フレキシブルプラスチック基板、モバイル通信、ウェアラブルコンピュータ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)防衛装備庁長官, . (In Japanese)大越 昌幸, 井上 成美, 倉松 雅章, . METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SiO2 FILM USING LASER ABLATION. P2002-249869A. Sep 6, 2002
  • C23C  14/28     
  • C01B  33/12     
  • C23C  14/10     
  • H01L  21/31     
  • H01L  21/316    
  • H01L  21/363    

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