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METHOD OF ACCELERATING REACTION FOR FORMING COATING FILM ON SURFACE OF SUBSTRATE, AND APPARATUS USED IN THE SAME

Seeds code S100002694
Posted date Nov 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)斎藤 秀俊
Name of technology METHOD OF ACCELERATING REACTION FOR FORMING COATING FILM ON SURFACE OF SUBSTRATE, AND APPARATUS USED IN THE SAME
Technology summary (In Japanese)気化させた原料をキャリヤーガスとともに大気開放下に加熱された基材表面に吹付け、基材表面に酸化物又は水酸化物膜を堆積する大気開放型CVD法である。この場合、一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段7を使用して基材6をとりまく反応空間に沿面放電プラズマが生じるように電界を印加するとともに、少なくとも一方の電極に隙間を設け、隙間から気化させた原料及びキャリヤーガスを基材表面に供給することによって、基材表面に被膜を形成する反応を促進する。好ましくは、少なくとも一方の電極が誘電体で覆われた一対の金属電極間に基材を配置して電界を印加するか、又は、一対の金属電極間に誘電体層を介在させた電界印加手段と基材を対向させて配置し、電界を印加する。また電界の強度が0.1~100000V/mmである。更に、基材が金属、金属酸化物、ガラス、陶磁器、セラミックス、プラスチック又は紙から選択されたものである。反応を促進する装置は、少なくとも気化した原料の吹付ノズル4、基材の加熱台8、及び電極を覆う防護チャンバー9を設け、防護チャンバーの扉10の開閉と電極のスイッチの開閉とを連動させる。
Drawing

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thum_2002-061361.gif
Research field
  • Techniques and equipment of thin film deposition
  • Plasma production and heating
Seeds that can be deployed (In Japanese)大気開放型CVD法において、基材表面に酸化物又は水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法、特に所定の基材温度以下で酸化物又は水酸化物膜を効率良く形成する方法、及びこの方法に使用する装置を提供する。
200℃~室温といった低温でも基材表面に被膜を形成することができ、用途に応じて基材を選択できる。また基材表面に形成される被膜は、アモルファス、配向又は非配向の多結晶構造、ウイスカー状等種々の状態で得ることができる。
Usage Use field (In Japanese)大気開放型CVD装置、酸化チタン膜、アモルファス水酸化アルミニウム膜、低抵抗率ITO膜
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人長岡技術科学大学, . (In Japanese)斎藤 秀俊, . METHOD OF ACCELERATING REACTION FOR FORMING COATING FILM ON SURFACE OF SUBSTRATE, AND APPARATUS USED IN THE SAME. P2003-253451A. Sep 10, 2003
  • C23C  16/503    
  • B01J  19/08     

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