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PLATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Seeds code S100002806
Posted date Nov 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)新井 進
  • (In Japanese)遠藤 守信
Name of technology PLATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Technology summary (In Japanese)電子部品は、ニッケル、銅等の水溶液性のめっき液中に分散剤とカーボンナノチューブ(CNT)10を添加してめっき液中にCNTを分散させ、このめっき液によりめっきを施して、CNTが混入しているめっき皮膜14からなる配線パターンを形成する。好ましくは、めっき皮膜が単一の金属からなるか、又は合金めっき皮膜である。まためっき皮膜が電解めっき皮膜であるか、又は、無電解めっき皮膜と、無電解めっき皮膜上に形成された電解めっき皮膜とからなる。多層回路基板は、下層の配線パターン上に絶縁層を形成し、絶縁層に下層の配線パターンが露出するビアホールを形成する。次いで、CNTを分散させためっき液により電解めっきを施して、ビアホール内に、めっき金属中にCNTが混入しているビアを形成する。次に、絶縁層上にビアが露出する所要のレジストパターンを形成する。そして、CNTを分散させためっき液により、レジストパターンをマスクとして無電解めっき、次いで電解めっきを施し、ビアに電気的に接続する、CNTが混入しためっき皮膜からなる配線パターンを形成する。分散剤はポリアクリル酸が好ましい。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2002-320407.gif
Research field
  • Plating in general
  • Electric and electronic parts in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)金属中にCNTを常温で混入させることのできる配線パターンを有する電子部品及びその製造方法、並びに配線パターンを有する多層回路基板の製造方法を提供する。
めっき工程中で行えるので、常温でのCNTの混入が可能となり、混入物への熱的負荷を軽減できる。
Usage Use field (In Japanese)電界放出用エミッタ、ディスプレー用材料、半導体チップ、機械部品
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人信州大学, . (In Japanese)新井 進, 遠藤 守信, . PLATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR. P2004-156074A. Jun 3, 2004
  • C25D   7/00     
  • C23C  18/52     
  • C25D  15/02     
  • H05K   3/18     

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