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MANUFACTURING METHOD OF CARBON NANOTUBE AND MODIFIED CARBON NANOTUBE

Seeds code S100002808
Posted date Nov 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)村松 寛之
  • (In Japanese)金 隆岩
  • (In Japanese)林 卓哉
  • (In Japanese)遠藤 守信
Name of technology MANUFACTURING METHOD OF CARBON NANOTUBE AND MODIFIED CARBON NANOTUBE
Technology summary (In Japanese)反応管12内に、反応管12の炭素源導入側に副触媒(コンディショニング触媒)として、酸化アルミニウムに担持したモリブデン酸アンモニウム18を配置し、副触媒よりも下流側に主触媒として、酸化マグネシウムに担持したクエン酸鉄アンモニウム16を配置し、メタンガス炭素源を不活性ガスと共に反応管12内に流して、875~1100℃の反応温度で、CNTを気相成長させ、さらに、酸化性雰囲気中で500℃の温度で酸化処理し、単層CNTを分解して、DWCNTが95%以上の収量となるCNT精製工程を備えるCNTの製造方法である。得られたCNTをさらに不活性ガス中で1500~2800℃の温度で熱処理すると熱的安定性の高いDWCNTが、2200~2800℃の温度で熱処理すると2つのDWCNTが融合した径の大きな再編DWCNTが、2100℃の温度で熱処理すると、隣接する2つの二層CNTのアウター層を断面長円状に融合させ、長円状の1つのアウター層内に、アウター層の長軸方向に隣接して2つのインナー層が位置する変形CNTが得られる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2004-164065.gif
Research field
  • Materials of solid‐state devices
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Production and handling of solid in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)DWCNT(二層:ダブルウォールCNT)を選択的に、工業的に生産できるCNTの製造方法を提供する。
アウター層内にインナー層が入れ子状に進入した構造をなし、SWCNT(単層:シングルウォールCNT)に比べて機械的強度が強く柔軟である上、直径はSWCNTと同等レベルの直径(数nm)であるDWCNTがリッチなCNTを製造することができる。また、高い熱的安定性を有し、高電流で用いられるフィールドエミッタ等として好適に用いることができるDWCNTを得ることができる。機能的複合材料や電界放出源としての応用が見込まる。
Usage Use field (In Japanese)ダブルウォールカ-ボンナノチユ-ブ、変形カ-ボンナノチユ-ブ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)国立大学法人信州大学, . (In Japanese)村松 寛之, 金 隆岩, 林 卓哉, 遠藤 守信, . MANUFACTURING METHOD OF CARBON NANOTUBE AND MODIFIED CARBON NANOTUBE. P2005-343726A. Dec 15, 2005
  • C01B  31/02     

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