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METHOD OF GROWING CARBON NANOTUBE


Seeds code	S100002845
Posted date	Nov 5, 2010
Researchers	(In Japanese)佐藤英樹 (In Japanese)畑浩一 (In Japanese)平松和政 (In Japanese)三宅秀人
Name of technology	METHOD OF GROWING CARBON NANOTUBE
Technology summary	(In Japanese)触媒金属微粒子の移動が妨げられるように、平滑な基板表面を乾式エッチングして高さ5nm～1μmの微細突起を形成する工程と、該微細突起上に膜厚が0．5nm～50nmの金属触媒の薄膜を蒸着させる工程と、該触媒金属上に化学気相成長法（CVD法）によりカーボンナノチューブを成長させる工程を含むことを特徴とする、外径が1nm～60nmである細径カーボンナノチューブの製造方法である。乾式エッチング法が反応性イオンエッチング法である。金属触媒が鉄（Fe），コバルト（Co），ニッケル（Ni）の元素又は合金であり、基板が、シリコン（Si）、化合物半導体又はガラスである。
Drawing ※Click image to enlarge.
Research field	Materials of solid‐state devices Manufacturing technology of solid‐state devices
Seeds that can be deployed	(In Japanese)触媒金属の微粒子化と、該触媒金属の微粒上に細径のカーボンナノチューブを成長させる方法を提供する。平滑な基板表面微細突起を形成して、触媒金属微粒子の移動による相互の合体を妨げることにより触媒金属が微粒子化され、外径が60nm以下の細径カーボンナノチューブが効率的に得られる。細径カーボンナノチューブを利用したFED用陰極材、リチウムイオン2次電池用負極材、集積回路用層間配線材、又は走査型プローブ顕微鏡用探針用等の用途が期待できる。
Usage Use field	(In Japanese)細径カーボンナノチューブ
Application patent		patent	IPC(International Patent Classification)
Application patent	( 1 )	(In Japanese)国立大学法人三重大学， . (In Japanese)佐藤英樹，畑浩一，平松和政，三宅秀人， . METHOD OF GROWING CARBON NANOTUBE. P2006-213551A. Aug 17, 2006	C01B 31/02 H01J 9/02