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ION BEAM MICROMACHINING METHOD

Seeds code S100002863
Posted date Nov 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)金子 忠昭
  • (In Japanese)浅岡 康
  • (In Japanese)佐野 直克
Name of technology ION BEAM MICROMACHINING METHOD
Technology summary (In Japanese)まず、GaAs層1表面に自然に形成されているAs2O3等の表面酸化膜2を除去することなく、この表面酸化膜2の表面に向ってイオンビーム径を0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下、更に好ましくは0.1μm以下に絞ったGaイオン4を真空中で照射して、表面酸化膜2にGaイオンを注入する。このGaイオンの注入により、表面酸化膜2のAs2O3や、As2O等の酸化物は、ある注入量以下では化学的に安定した酸化物Ga2O3に置換される。次に、表面酸化膜2の一部をGa2O3に置換したGaAs層1を580℃に昇温する事によりGa2O3以外の表面酸化膜2が熱脱離し、その後表面を臭素化物で照射する事により原子層一層単位でドライエッチングし、Ga2O3に置換された部分以外を除去する。この時、GaAs層1の表面を所定の回路パターンとなるように、Gaイオンによってパターニングすると、GaAs層1表面に任意の回路パターンを加工することが可能となる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2001-238972.gif
Research field
  • Manufacturing technology of solid‐state devices
  • Electron and ion beams
  • Thin films in general
Seeds that can be deployed (In Japanese)化合物半導体を含む半導体結晶表面に自然に形成されている表面酸化膜を除去することなく、その表面酸化膜にGaイオンを注入することによって、臭素化物によってエッチングされない化学的に安定なGa2O3を形成することができるイオンビーム微細加工方法を提供する。
GaxIn1-xAsyP1-y(0≦x、y≦1)層表面に、Gaイオンを注入し、層表面の表面酸化膜の存在の下でのGaイオン打ち込みにより酸化層を選択的にGa2O3に置換させた後、層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、Ga2O3に置換した部分以外の表面酸化膜等を除去することにより、層表面に微細な回路パターンをその場で形成することができる。
Usage Use field (In Japanese)ネガ型リソグラフィ
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)金子 忠昭, 浅岡 康, 佐野 直克, . ION BEAM MICROMACHINING METHOD. P2003-051488A. Feb 21, 2003
  • H01L  21/302    

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