METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SINGLE CRYSTAL SILICON
| Seeds code | S100003065 | ||
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| Posted date | Nov 5, 2010 | ||
| Researchers |
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| Name of technology | METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SINGLE CRYSTAL SILICON | ||
| Technology summary | (In Japanese)過冷したシリコン液滴から凝固核を生成させて球状単結晶シリコンを作製する際、シリコン液滴の臨界過冷度ΔTcr及び直径dが（d＝5mm，ΔTcr＝100K），（d＝3mm，ΔTcr＝120K），（d＝1mm，ΔTcr＝150K）を満足するように、シリコン液滴の直径dに応じて設定された臨界過冷度ΔTcr以下にシリコン液滴を過冷する。過冷度に応じて結晶の成長形態が異なり、臨界過冷度ΔTcr以下の過冷度ΔTに保持したシリコン液滴から成長した結晶は、クラックや双晶の少ない高品位球状単結晶シリコンとなる。また単結晶化の条件が大幅に緩和されるため、大径の球状単結晶シリコンも作製可能となる。グラフは、臨界過冷度ΔTcrがシリコン液滴の直径dに依存していることを示す。αはステップのカイネティック係数βstと界面付着成長カイネティクスの係数μとの比（βst＝αμ）である。 | ||
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Drawing
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| Research field |
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| Seeds that can be deployed |
(In Japanese)過冷度ΔTの適正管理によってシリコン液滴から高品位の球状単結晶シリコンを作製する方法を提供する。 高い再現性で球状単結晶シリコンが製造されるため、低価格次世代ICとして有用な半導体材料が提供される。 |
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| Usage Use field | (In Japanese)半導体デバイス、マイクロマシン | ||
| Application patent | patent | IPC(International Patent Classification) | |
| ( 1 ) | (In Japanese)国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構， . (In Japanese)栗林 一彦， 青山 智胤， . METHOD FOR PRODUCING SPHERICAL SINGLE CRYSTAL SILICON. P2002-348194A. Dec 4, 2002 |
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- Japan Aerospace Exploration Agency Industrial Collaboration and Coordination Center
- URL: http://www.jaxa.jp/collabo/index_e.html
-
E-mail:
- Address:2-1-1 Sengen, Tsukuba-shi, Ibaraki, Japan , 305-8505
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