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METHOD OF GROWING BULK SINGLE CRYSTAL BETA IRON SILICIDE CRYSTAL FROM LIQUID PHASE

Seeds code S100003164
Posted date Nov 5, 2010
Researchers
  • (In Japanese)野瀬 康男
  • (In Japanese)倉本 護
  • (In Japanese)百瀬 与志美
  • (In Japanese)立岡 浩一
  • (In Japanese)桑原 弘
Name of technology METHOD OF GROWING BULK SINGLE CRYSTAL BETA IRON SILICIDE CRYSTAL FROM LIQUID PHASE
Technology summary (In Japanese)方法は、第1の加熱温度、及び第1の加熱温度より高温の第2の加熱温度の間で勾配を設けて温度制御される抵抗加熱炉10を準備する工程と、ソース充填部(高温部)12及び成長部(低温部)13を有する石英容器14内に、溶媒16としてのSb及び溶質15としてのα-FeSi2を収容する工程とを含む。更に、石英容器14のソース充填部12及び成長部13が、第2の加熱温度及び第1の加熱温度でそれぞれ加熱されるよう、石英容器14を抵抗加熱炉10内に設置する工程と、抵抗加熱炉10の第2の加熱温度を第1の加熱温度より常に高く維持しつつ、Sb及びα-FeSi2を加熱することにより、β-FeSi2バルク単結晶を成長する工程と、を具備する。得られた大型・高品質のベータ鉄シリサイドバルク単結晶は、熱電発電機、固体冷却器、赤外線センサー及び太陽電池等の多くの用途に好適に用いることができる。
Drawing

※Click image to enlarge.

thum_2000-371387.gif
Research field
  • Techniques and equipment of crystal growth
Seeds that can be deployed (In Japanese)高性能熱電デバイスに好適に用い得る大型・高品質のベータ鉄シリサイドバルク単結晶を、液相から成長する方法を提供する。
高温側に異なる相が存在するような複雑な相図を示すシリサイドの成長に、特に有効に用いることができる。またデバイス応用に必要な不純物を低温で容易にドープすることもできる。
Usage Use field (In Japanese)熱電発電機、固体冷却器、赤外線センサー、太陽電池
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人静岡大学, . (In Japanese)野瀬 康男, 倉本 護, 百瀬 与志美, 立岡 浩一, 桑原 弘, . METHOD OF GROWING BULK SINGLE CRYSTAL BETA IRON SILICIDE CRYSTAL FROM LIQUID PHASE. P2002-173400A. Jun 21, 2002
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