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THERMAL TREATMENT EQUIPMENT AND THERMAL TREATMENT METHOD USING THE SAME

Seeds code S100003724
Posted date Dec 2, 2010
Researchers
  • (In Japanese)浅岡 康
  • (In Japanese)金子 忠昭
  • (In Japanese)佐野 直克
Name of technology THERMAL TREATMENT EQUIPMENT AND THERMAL TREATMENT METHOD USING THE SAME
Technology summary (In Japanese)熱処理装置1は、加熱室2と、予備加熱室3と、予備加熱室3から加熱室2に続く前室4とで構成されている。予備加熱室3から前室4に移動させられた被処理物5は、昇降式の移動手段10によって前室4から加熱室2に移動させられる。このとき、加熱室2内は、真空ポンプで予め所定の圧力である10-2Pa以下、好ましくは圧力10-5Pa以下の真空、又は予め圧力10-2Pa以下好ましくは10-5Pa以下の高真空に到達した後に若干の不活性ガスを導入し、10-2Pa以下、好ましくは10-5Pa以下の希薄ガス雰囲気下とし、加熱ヒータ11によって1200℃~2300℃に設定されていることが好ましい。加熱室2内の状態をこのように設定しておくことで、被処理物5を前室4から加熱室2内に移動して、被処理物5を1200℃~2,300℃に急速に短時間で加熱することができる。また、加熱室2には、加熱ヒータ11の周囲に反射鏡12が配置されており、加熱ヒータ11の熱を反射して加熱ヒータ11の内部に位置する被処理物5側に集中するようにしている。
Drawing

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thum_2003-333266.gif
Research field
  • Heating
  • Techniques and equipment of crystal growth
  • Semiconductor thin films
Seeds that can be deployed (In Japanese)次世代の単結晶SiCの形成に好適な、圧力10-2Pa以下好ましくは10-5Pa以下の真空、又は予め圧力10-2Pa以下好ましくは10-5Pa以下の高真空に到達した後に若干の不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で1200℃~2300℃に加熱することができる熱処理装置を提供する。
真空又は希薄ガス雰囲気下において短時間で被処理物を1200℃~2300℃に加熱することが可能となる。被処理物を均等に加熱することが可能となり、また、加熱ヒータからの熱を反射鏡で反射して被処理物側に集中させることができる。
Usage Use field (In Japanese)熱処理装置、半導体製造工程
Application patent   patent IPC(International Patent Classification)
( 1 ) (In Japanese)学校法人関西学院, . (In Japanese)浅岡 康, 金子 忠昭, 佐野 直克, . THERMAL TREATMENT EQUIPMENT AND THERMAL TREATMENT METHOD USING THE SAME. P2004-297034A. Oct 21, 2004
  • H01L  21/324    
  • H01L  21/208    

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