BONDING STRUCTURE OF CARBON UTILIZATION ELECTRON EMISSION MATERIAL TO BASE PLATE AND ITS BONDING METHOD
| Seeds code | S100003732 | ||
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| Posted date | Dec 2, 2010 | ||
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| Name of technology | BONDING STRUCTURE OF CARBON UTILIZATION ELECTRON EMISSION MATERIAL TO BASE PLATE AND ITS BONDING METHOD | ||
| Technology summary | (In Japanese)この基板への炭素利用型電子放出材の接合構造は、炭素利用型電子放出材と基板との間に形成した炭化物により、炭素利用型電子放出材と基板とを結合する。例えば、チタン箔1上に炭素利用型電子放出材としての多層型カーボンナノチューブ（MWNT）2の粉末を分散させて置き、そのチタン箔2を等方性黒鉛の基板3上に置いて、真空中でその等方性黒鉛基板3を1050℃まで黒鉛ヒータで抵抗加熱することにより、試料4を得る。電子顕微鏡写真で試料4を拡大すると、多層型カーボンナノチューブ（MWNT）2は、チタン箔1の加熱での溶融およびその後の冷却固化により形成された炭化チタンTiC5により黒鉛基板3上に固溶接合されて、接合構造を形成している。チタン箔1の代わりにマグネトロンスパッタ装置等を用いて、減圧下で基板上に作成したチタン膜を使用しても、同様に基板への電子放出材の接合ができる。この接合構造により基板と電子放出材を結合した電子放出素子は、電界放出の閾値を下げて、電力の省力化と電源製造コストの低減にも寄与することができる。 | ||
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Drawing
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| Seeds that can be deployed |
(In Japanese)炭素利用型電子放出材について、低抵抗、高機械強度、高耐熱性および高熱伝導性を実現し、極めて良好な充分な電子放出能を長時間に渡って得られるようにする。 この基板への炭素利用型電子放出材の接合構造は、炭素利用型電子放出材と基板との間に形成した炭化物により、炭素利用型電子放出材と基板とを結合するので、低抵抗、高機械強度、高耐熱性および高熱伝導性が実現され、極めて良好な充分な電子放出能を長時間に渡って得ることができる。 |
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| Usage Use field | (In Japanese)撮像装置、発光表示装置、X線源、マイクロ波管、電子線源 | ||
| Application patent | patent | IPC(International Patent Classification) | |
| ( 1 ) | (In Japanese)大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構， . (In Japanese)加藤 茂樹， 野口 恒行， . BONDING STRUCTURE OF CARBON UTILIZATION ELECTRON EMISSION MATERIAL TO BASE PLATE AND ITS BONDING METHOD. P2006-310231A. Nov 9, 2006 |
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E-mail:
- Address:1-1 Oho. Tsukuba-shi, Ibaraki, Japan , 305-0801
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